【新品】三菱电机推出..【新品】三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日(2024年6月10日)宣布,从6月10日起开始为包括
三菱电机推出多款新型 SBD 嵌入式 SiC-MOSFET 模块 三菱电机株式会社于6月10日起，为大型工业设备如机车车辆和电力系统，正式出货低电流版本的3kV/400A和3kV/200A肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）模块。与现有3kV/800A版本一同，新推出的UnifullTM系列包含三款模块...
2023年5月8日,三菱电机宣布将于5月31日开始新型肖特基势垒二极管(SBD)-嵌入式碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的送样,该模块具有3.3kV的双重耐压和6.0kVrms的介电强度。 新模块有望为铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统提供卓越的功率、效率和可靠性。三菱电机已经发布了四个完整的SiC模...
三菱电机新开发了3.3kV金属氧化物半导体场效应管碳化硅模块(SiC-MOSFET),采用了嵌入式肖特基势垒二极管(SBD-Embedded)技术,可以满足铁路应用的高可靠性、高功率和高效率要求。通过将SBD嵌入到MOSFET中,避免了SiC-MOSFET固有的双极退化。通过采用一种新颖的双极模式激活(BMA)元胞结构,实现了足够的浪涌电流能力。与传统的S...
第一种结构是如图 2所示的胞外集成结构,SiC VDMOSFET与SBD的有源区共用一个结终端,SBD在芯片中间被MOSFET所包围,被称为胞外集成结构。 第二种结构是如图3所示的裂源结构Split Source VDMOFET(SS-VDMOSFET),是将VDMOSFET元胞P阱表面的P+欧姆接触区裂开,插入SBD。
SiC MOSFET:具有较好的温度稳定性,能够在高温环境下保持稳定的性能。这得益于SiC材料的高热导率和宽禁带特性。 SiC SBD:同样具有良好的温度稳定性,其正向特性和反向特性受温度影响较小。这使得SiC SBD在高温应用中具有更好的可靠性和稳定性。 三、应用差异 ...
SiC SBD:它具有高温性能,可以在高温环境中工作,这使其能够应用于高武备电子设备,例如飞行器电子电路。此外,SIC SBD具有良好的导电能力,从而可以减少由于散热不足而导致的功耗降低。 SiC MOSFET:它具有低搅乱,爬升时间快,损耗小等优点,同时精度也很高,可以用于操作的频率较高的电子设备。
在传统的SiC功率模块中，SiC MOSFET用于开关，SiC SBD用于整流，两个单独制造的芯片并联连接。三菱电机的SBD嵌入式SiC MOSFET通过在SiC MOSFET单元中周期性地形成SiC-SBD来集成两个芯片。传统上，当浪涌电流流过并联连接的多个SBD嵌入式MOSFET芯片时，浪涌电流仅集中在特定芯片上，从而防止获得与并联芯片的数量相对应的...
凸台、欧姆接触金属和第二肖特基接触金属形成双凸台 SBD。本申请能够在减小 SiC MOSFET 器件续流损耗、开关损耗、避免双极退化的同时，增大 SBD 的正向导通电流，减小反向漏电，极大提升单片集成 SBD 的 SiC MOSFET 器件的性能。本文源自：金融界 作者：情报员 ...
为了满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件的需要,瞻芯电子开发了2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。近期首批2款产品通过了严格的可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。 关于产品 瞻芯电子依托浙江瞻芯6英寸SiC晶圆厂,基于Gen-2 SiC MOSFET技术和SiC SBD技术,...