【新品】三菱电机推出..【新品】三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块Unifull™ 3.3kV SBD嵌入式SiC-MOSFET模块三菱电机集团近日(2024年6月10日)宣布,从6月10日起开始为包括
5月8日,三菱电机官网发布公告,公司将于5月31日开始出货新型肖特基势垒二极管(SBD)嵌入式碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的样品,该模块具有双型3.3kV耐压和6.0kVrms介电强度。 ▲3.3kV SBD-embedded SiC-MOSFET module 据悉,这种新型模块预计将为铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统提供卓...
SBD嵌入式SiC-MOSFET有助于提高逆变器的输出、效率和可靠性 采用优化封装结构的SBD嵌入式SiC-MOSFET,与三菱电机现有的全SiC功率模块*相比,开关损耗降低了54%,与公司的现有Si功率模块**相比降低了91%,有助于提高功率输出和效率。 采用双极性模型激活(BMA)单元结构,提高了浪涌承受能力,有助于提高逆变器的可靠性。 ...
2023年5月8日,三菱电机宣布将于5月31日开始新型肖特基势垒二极管(SBD)-嵌入式碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块的送样,该模块具有3.3kV的双重耐压和6.0kVrms的介电强度。 新模块有望为铁路和电力系统等大型工业设备的逆变器系统提供卓越的功率、效率和可靠性。三菱电机已经发布了四个完整的SiC模...
在传统的SiC功率模块中,SiC MOSFET用于开关,SiC SBD用于整流,两个单独制造的芯片并联连接。三菱电机的SBD嵌入式SiC MOSFET通过在SiC MOSFET单元中周期性地形成SiC-SBD来集成两个芯片。传统上,当浪涌电流流过并联连接的多个SBD嵌入式MOSFET芯片时,浪涌电流仅集中在特定芯片上,从而防止获得与并联芯片的数量相对应的...
瑞能SiC MOSFET命名规则标注在15V门极驱动电压下的Rdson,提供在较低门极驱动电压下工作的可能性,更容易在传统设计中直接导入替换,并且SiC MOSFET产品经过了门极-12V~+24V偏压的HTGB可靠性测试,门极直流耐压范围可达-30V~+35V,对应更大的门极驱动电压范围以及同类产品中最优秀的门极寿命(TDDB)表现。
第一种结构是如图 2所示的胞外集成结构,SiC VDMOSFET与SBD的有源区共用一个结终端,SBD在芯片中间被MOSFET所包围,被称为胞外集成结构。 第二种结构是如图3所示的裂源结构Split Source VDMOFET(SS-VDMOSFET),是将VDMOSFET元胞P阱表面的P+欧姆接触区裂开,插入SBD。
SiC MOSFET和SiC SBD是基于碳化硅(SiC)的两种不同类型的功率半导体器件,它们在高压和高温下的应用中具有显著的性能优势,但各自具有不同的特点和应用领域。 SiC MOSFET(金属-氧化物-半导体场效应晶体管): 工作原理:SiC MOSFET利用电压来控制流经器件的电流,是一种电压控制器件。
上一个 下一个 客制化模块 SiC功率模块在工业控制领域广泛应用,澎芯半导体可根据客户具体需求,联合战略合作伙伴进行客制化功率模块定制生产。 立即预约 产品详情 SiC功率模块在工业控制领域广泛应用,澎芯半导体可根据客户具体需求,联合战略合作伙伴进行客制化功率模块定制生产。
SiC SBD 澎芯半导体凭借丰富的技术经验和精准的市场需求,已开发出系列化的碳化硅产品,包括650V 到 1200V 的SiC SBD。 澎芯半导体SiC SBD具有以下优点: 1、反向恢复极小; 2、抗浪涌电流能力强; 3、高温反向漏电低; 4、雪崩能量高。 立即预约 产品详情...