Silicon Carbide MOSFET模块 对于一直在设法提高效率和功率密度并同时维持系统简单性的功率设计师而言,碳化硅SiC MOSFET的高开关速度、高额定电压和小RDS(on)使得它们具有十分高的吸引力。然而,由于高开关速度会导致高漏源电压(Vds)峰值和长振铃期,它们会产生电磁干扰,尤其是在电流大时。本文提供了一个较好的解决方案来...
Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET solutions are the next essential step towards an energy-smart world. Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFETs subcategories Silicon Carbide MOSFET Discretes Silicon Carbide MOSFET Modules Based on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the ...
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此外还有浙江大学与阿尔堡大学合作设计的直接通过螺钉固定的双面压接 SiC MOSFET 模块,也实现了低寄生电感参数和良好均匀的散热特性[28]。 1.5 三维(3D)封装技术 三维封装技术利用了 SiC 功率器件垂直型的结构特点,将开关桥臂的下管直接叠在上管之上,消除了桥臂中点的多余布线,可将回路寄生电感降至1nH 以下[29-...
意法半导体的碳化硅器件产品组合包括600/1200V SiC二极管和650/750/900/1200/1700V SiC MOSFET。前者包括汽车级二极管,具有业界领先的低前向压降 (VF);后者具有业内领先的200°C额定结温,可实现更为高效、简洁的设计。
借助SiC MOSFET,将创新宽带隙材料(WBG)的优势融入下一个设计。意法半导体的碳化硅MOSFET具有650 V至2200 V的扩展电压范围,是最先进的技术平台之一,具有出众的开关性能和极低的单位面积导通电阻。 我们SiC MOSFET的主要特点包括: 汽车级(AG)合格器件 应对超高温的能力(最高TJ= 200°C) ...
Our SiC discrete MOSFET and Schottky Diode portfolio offers the widest breadth of solutions on the market. We can help you adopt SiC with ease, speed and confidence.
可靠的MOSFET减少了传导损耗和开关损耗,并支持更高的开关频率。 对于裸片类应用,比如应用于车载逆变器模块,也有非封装芯片版本可用。 产品优势 博世双通道沟槽栅极技术实现单位面积下更低的导通电阻 切换速度可根据门极电阻调节 Qualification: AEC-Q101 & SiC specific validation 高效而可靠 适用于逆变器、直流转换器...
爱企查为您提供ROHM/罗姆 场效应管 SCT2160KEC MOSFET 1200V20A160mOhm Silicon Carbide SiC,深圳市千百合电子有限公司售卖商品,可电话联系商家或留言询价。场效应管;场效应管批发;场效应管行情报价;场效应管价格;场效应管底价;场效应管图片;场效应管厂家;场效应管
Robust Silicon Carbide (SiC) Bare Die Solutions Our mSiC™ bare die MOSFETs and Schottky Barrier Diodes (SBDs) are excellent options for advanced power circuits. They are designed to provide lower system cost, faster time to market and lower risk. Our solutions come with an oxide lifetime ...