在第三代沟槽型SiC MOSFET方面面临日美和欧洲的专利封锁,并且在第四代与第五代沟槽MOSFET器件IP、结构设计与全套工艺环节存在很大的差距。具体来看: 三安的沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2025年Q1; 中车的第四代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2025年,同时布局最新的第五代“多级沟槽P+”电场掩蔽技术,预计第五代沟...
在谈SiC MOSFET之前，让我们先来回顾下硅基MOSFET的发展历程。在70、80年代，用于大功率的硅MOSFET采用的大都是垂直导电路径和平面栅型结构，到90年代硅MOSFET转而开始使用“挖沟槽”来提高效率。现在，在SiC MOSFET中使用沟槽结构由于具有降低导通电阻的效果而备受瞩目。那么，SiC MOSFET是该选择平面栅还是沟槽栅呢？...
彼时,Cree推出了市场上第一款SiC MOSFET,采用平面栅结构的CMF20120D(另有说法称,2010年罗姆率先推出了首款平面型SiC MOSFET)。到了2015年,罗姆率先实现沟槽栅结构SiC MOSFET的量产,这种结构更能够发挥SiC材料的特性,工艺更复杂。 经过近10年的发展,目前在SiC MOSFET的技术路线上,沟槽型SiC MOSFET正在被认为是更有...
从图13可知碳化硅MOSFET的温升系数远小于氮化硅晶体管以及硅MOSFET，在结温100°C时相差已经达到30%和50%。根据图13可知，假设在25°C结温时碳化硅MOSFET和氮化镓晶体管的导通电阻相同，在同一个应用电路中意味着两者的导通损耗(〖I_Drms〗^2*R_(DS(on)))相同，但是当两者的结温升高到100°C时，碳化硅MOSFET的导...
沟槽结构SiC MOSFET最主要的问题在于,由于器件工作在高压状态,内部的工作电场强度高,尤其是沟槽底部,工作电场强度非常更高,很容易在局部超过最大的临界电场强度,从而产生局部的击穿,影响器件工作的可靠性,如下图所示。 因此,新一代的SiC MOSFET沟槽结构,技术演进的方向都是如何减小沟槽底部的工作电场强度,比如Rohm的双...
图4所示的基本氮化镓晶体管的结构是一种耗尽模式(depletion-mode)的高电子移动率晶体管(HEMT),这意味着在门极和源极之间不加任何电压(VGS=0V)情况下氮化镓晶体管的漏极和元件之间是导通的,即是常开器件。这与传统的常闭型MOSFET或者IGBT功率开关都完全...
当前量产主流SiC MOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。 如上图,左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片(宏观图)其中G区是栅极焊盘(gate pad),也就是引出栅极引线的地方,起控制作用。 AA是有源区(active area),其中AA的正面是源级区(source),键合源级引线过大电流; ...
沟槽栅结构是一种改进的技术,指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小,与平面栅相比,沟槽栅MOSFET消除了JFET区
东芝电子今日宣布,最新开发出一款用于车载牵引逆变器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅(SiC)MOSFET“X5M007E120”,其创新的结构可实现低导通电阻和高可靠性。X5M007E120现已开始提供测试样品,供客户评估。 当典型SiC MOSFET的体二极管在反向传导操作[3]期间双极通电[4]时,其可靠性会因导通电阻增加而降低。东芝SiC MOSFET通...