在芯片里，每个active cell是并联在一起的，图四是一个芯片的截面图的示意图，在这里采用的是带状结构的布局。从这里大家会对于芯片可以有更形象的了解。图四 芯片的截面图 以下是SiC MOSFET Rdson设计的一些关键考虑因素：1. 通道宽度和掺杂：SiC MOSFET的通道宽度和掺杂浓度会影响Rdson和电流密度。较宽和重掺...
平面栅结构是行业内应用最早、最广泛、最可靠的架构。平面SiC MOSFET于2011年实现商业化，是由当时Cree推出的CMF20120D，平面栅结构由于具有结构简单、容易制造、可靠性等优点，因此至今仍然占据主导地位。然而，在减小芯片尺寸并因此提高产能的驱动下，其横向拓扑结构限制了它最终可以缩小的程度。沟槽栅结构是一种改进的...
得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高,未来3～5年内,碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用,未来5年内驱动碳化硅器件市场增长的主要因素将由碳化硅二极管转变为碳化硅MOSFET,因此至2024年其市场规模将大幅增长,占整体碳化硅功率器件市场的50%,市场规模超10亿美元。
SiC-MOSFET与Si-MOSFET相比,由于漂移层电阻低,通道电阻高,因此具有驱动电压即栅极-源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。 导通电阻从Vgs为20V左右开始变化(下降)逐渐减少,接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驱动电压为Vgs=10～15V,而SiC-MOSFET建议在Vgs=18V前后驱动,...
罗姆:双沟槽结构 2015年,罗姆开发并量产了世界首个沟槽结构的SiC MOSFET,而且是双沟槽的结构。截止目前,罗姆的沟槽型SiC MOSFET已经发展到了第四代,双沟槽结构同时具有源极沟槽和栅极沟槽。 在一般的单沟槽结构中,电场集中在栅极沟槽的底部,因此长期可靠性一直是个问题。而罗姆开发的双沟槽结构,在源区也设置了沟槽...
(图源:住友电工)住友电工的SiC VMOSFET横截面图 Qorvo:高密度沟槽SiC JFET结构 Qorvo的SiC技术主要来源于UnitedSiC,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo,如今SiC也是Qorvo未来发展的重中之重。不同于传统的SiC MOSFET设计,Qorvo另辟新径。Qorvo的SiC FET采用了高密度沟槽 SiC JFET 结构,SiC MOSFET中的沟道电阻Rcha...
罗姆:双沟槽结构 2015年,罗姆开发并量产了世界*沟槽结构的SiC MOSFET,而且是双沟槽的结构。截止目前,罗姆的沟槽型SiC MOSFET已经发展到了第四代,双沟槽结构同时具有源极沟槽和栅极沟槽。 罗姆双沟槽型SiC MOSFET结构 (图源:罗姆) 在一般的单沟槽结构中,电场集中在栅极沟槽的底部,因此长期可靠性一直是个问题。而罗姆...
在给栅极-源极间施加18V电压、SiC-MOSFET导通的条件下,电阻更小的通道部分(而非体二极管部分)流过的电流占支配低位。为方便从结构角度理解各种状态,下面还给出了MOSFET的截面图。 SiC-MOSFET体二极管的反向恢复特性 MOSFET体二极管的另一个重要特性是反向恢复时间(trr)。trr是二极管开关特性相关的重要参数。MOSFET的体...
沟槽栅结构是一种改进的技术,指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小,与平面栅相比,沟槽栅MOSFET消除了JFET区
住友电工的SiC VMOSFET横截面图 (图源:住友电工) Qorvo:高密度沟槽SiC JFET结构 Qorvo的SiC技术主要来源于UnitedSiC,该公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo,如今SiC也是Qorvo未来发展的重中之重。不同于传统的SiC MOSFET设计,Qorvo另辟新径。Qorvo的SiC FET采用了高密度沟槽 SiC JFET 结构,SiC MOSFET中的沟道电阻R...