目前,市场上这两种结构应用比较典型的是罗姆和英飞凌科采用沟槽结构SiC MOSFET,沟槽型没有结型场效应晶体管(JFET)区,具有更高的沟道密度,同时沟道所在SiC晶面具有较高的沟道迁移率,因此能够实现更低的比导通电阻。而Cree和意法半导体两家公司采用平面结构SiC MOSFET,通过优化器件的结构设计,实现了性能和可靠性俱佳的产...
2019年,三菱电机开发出一种沟槽的SiC MOSFET,为了解决沟槽型的栅极绝缘膜在高电压下的断裂问题,三菱电机基于在结构设计阶段进行的先进模拟,开发了一种独特的电场限制结构,将应用于栅绝缘薄膜的电场减小到常规平面型水平,使栅绝缘薄膜在高电压下获得更高的可靠性。 三菱电机的新型沟槽型SiC-MOSFET三维结构示意图 来源:...
平面型SiCMOSFET器件的元胞制备方法及结构专利信息由爱企查专利频道提供,平面型SiCMOSFET器件的元胞制备方法及结构说明:本发明涉及一种平面型SiC...专利查询请上爱企查
形成在SiC半导体衬底的底表面上的第一电荷类型的漏极结构;包括栅极氧化物和栅极流道的栅极结构,其中栅极氧化物覆盖源极结构的至少一部分和栅极流道;在竖直方向上位于在栅极结构下方并与该源极结构相邻的第二电荷类型的沟道区,其中沟道区的第二电荷类型的掺杂轮廓线包括第一区和第二区,其中第一区具有在2*e17cm‑...
关于SiC-MOSFET元器件结构,平面型和沟槽型的优点和缺点是什么? 沟槽型的优点是 ①导通电阻小 ②寄生电容小 ③开关性能优异等。 缺点是因导通电阻小,所以短路耐量短。
目前,市场上这两种结构应用比较典型的是罗姆和英飞凌科采用沟槽结构SiC MOSFET,沟槽型没有结型场效应晶体管(JFET)区,具有更高的沟道密度,同时沟道所在SiC晶面具有较高的沟道迁移率,因此能够实现更低的比导通电阻。而Cree和意法半导体两家公司采用平面结构SiC MOSFET,通过优化器件的结构设计,实现了性能和可靠性俱佳的产...
目前,市场上这两种结构应用比较典型的是罗姆和英飞凌科采用沟槽结构SiC MOSFET,沟槽型没有结型场效应晶体管(JFET)区,具有更高的沟道密度,同时沟道所在SiC晶面具有较高的沟道迁移率,因此能够实现更低的比导通电阻。而Cree和意法半导体两家公司采用平面结构SiC MOSFET,通过优化器件的结构设计,实现了性能和可靠性俱佳的产...
目前,市场上这两种结构应用比较典型的是罗姆和英飞凌科采用沟槽结构SiC MOSFET,沟槽型没有结型场效应晶体管(JFET)区,具有更高的沟道密度,同时沟道所在SiC晶面具有较高的沟道迁移率,因此能够实现更低的比导通电阻。而Cree和意法半导体两家公司采用平面结构SiC MOSFET,通过优化器件的结构设计,实现了性能和可靠性俱佳的产...
不管Si IGBT还是Si MOSFET,沟槽栅结构的设计相比于平面栅结构具有明显的性能优势,但是对于SiC MOSFET来说,目前这种优势不再显著。 从理论上来看,平面栅 SiC MOSFET的沟道迁移率低,相较之下,沟槽栅SiC MOSFET则呈现出更佳的电学特性,其优势包括:元胞密度高、导通损耗低、开关性能强等。
目前,市场上这两种结构应用比较典型的是罗姆和英飞凌科采用沟槽结构SiC MOSFET,沟槽型没有结型场效应晶体管(JFET)区,具有更高的沟道密度,同时沟道所在SiC晶面具有较高的沟道迁移率,因此能够实现更低的比导通电阻。而Cree和意法半导体两家公司采用平面结构SiC MOSFET,通过优化器件的结构设计,实现了性能和可靠性俱佳的产...