在第三代沟槽型SiC MOSFET方面面临日美和欧洲的专利封锁,并且在第四代与第五代沟槽MOSFET器件IP、结构设计与全套工艺环节存在很大的差距。具体来看: 三安的沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2025年Q1; 中车的第四代沟槽型SiC MOSFET产品时间节点是2025年,同时布局最新的第五代“多级沟槽P+”电场掩蔽技术,预计第五代沟...
2、SiC MOSFET应用本就多在高压高频大电流领域,电路中寄生参数产生尖峰毛刺,造成瞬时过压或开关损耗,此外沟槽SiC MOSFET不具备抗浪涌电压自抑制能力和过压保护能力,需要在实际应用中设计复杂缓冲电路、浪涌电压抑制电路和过压保护电路,更多的外部电路导致过压保护延迟加大,同时实际开关过程依然容易被击穿,引发器件可靠性问题;...
在谈SiC MOSFET之前，让我们先来回顾下硅基MOSFET的发展历程。在70、80年代，用于大功率的硅MOSFET采用的大都是垂直导电路径和平面栅型结构，到90年代硅MOSFET转而开始使用“挖沟槽”来提高效率。现在，在SiC MOSFET中使用沟槽结构由于具有降低导通电阻的效果而备受瞩目。那么，SiC MOSFET是该选择平面栅还是沟槽栅呢？...
从图13可知碳化硅MOSFET的温升系数远小于氮化硅晶体管以及硅MOSFET，在结温100°C时相差已经达到30%和50%。根据图13可知，假设在25°C结温时碳化硅MOSFET和氮化镓晶体管的导通电阻相同，在同一个应用电路中意味着两者的导通损耗(〖I_Drms〗^2*R_(DS(on)))相同，但是当两者的结温升高到100°C时，碳化硅MOSFET的导...
英飞凌:半包沟槽结构 众所周知,“挖坑”是英飞凌的祖传手艺。 在硅基产品时代,英飞凌的沟槽型IGBT和沟槽型的MOSFET就独步天下。随着SiC时代的来临,市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞,而英飞凌依然延续了沟槽结构的路线。 英飞凌半包沟槽SiC MOSFET结构示意图 ...
两者结构如下图所示。两种结构的氮化镓晶体管 级联结构的氮化镓是耗尽型氮化镓与一个低压的硅MOSFET级联在...
当前量产主流SiCMOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。 如上图,左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片(宏观图)其中G区是栅极焊盘(gate pad),也就是引出栅极引线的地方,起控制作用。 AA是有源区(active area),其中AA的正面是源级区(source),键合源级引线过大电流; ...
当前量产主流SiCMOSFET芯片元胞结构有两大类,是按照栅极沟道的形状来区分的,平面型和沟槽型。 如上图,左边是一颗典型的平面SiC MOSFET芯片(宏观图)其中G区是栅极焊盘(gate pad),也就是引出栅极引线的地方,起控制作用。 AA是有源区(active area),其中AA的正面是源级区(source),键合源级引线过大电流; ...
沟槽栅结构是一种改进的技术,指在芯片表面形成的凹槽的侧壁上形成MOSFET栅极的一种结构。沟槽栅的特征电阻比平面栅要小,与平面栅相比,沟槽栅MOSFET消除了JFET区
在SiC MOSFET的技术路线之争上,一直有平面栅和沟槽栅两种不同的结构类型。所谓的沟槽栅,可以通俗的理解为在平面的基础上“挖坑”(如下图的示意图比较中可以清晰的看出)。国际SiC厂商们正在通过沟槽栅来更大的发挥SiC的潜力,放眼望去,有的厂商挖一个坑,有的挖两个坑,还有的是斜着挖,各种技术结构层出不穷,百花...