SI2306BDS-T1-GE3 Vishay Semiconductor (威世) MOS管 VISHAY SI2306BDS-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 4A, TO-236查看详情 TO-236 13周 2015年 ¥0.586 数据手册(4) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (1) 反馈错误 by FindIC.com
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SI2306BDS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的N通道沟道场效应晶体管(FET),具体参数如下: - 封装:SOT23 - 额定电压:30V - 额定电流:6.5A - 开通电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V - 阈值电压:1.2~2.2V SI2306BDS-T1-GE3.pdf **应用简介:** SI2306BDS-T1-GE3-VB适用于各种电源管理和开关应用,特别是在以下领...
SI2306BDS-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的N通道沟道场效应晶体管(FET),具体参数如下: - 封装:SOT23- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 开通电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压:1.2~2.2V **应用简介:**SI2306BDS-T1-GE3-VB适用于各种电源管理和开关应用,特别是在以下领域和模块中发挥重要作用: 1. **...
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