本文采用 XPS 技术,对制备的无定型 Si-C-O-N 涂层进行了相关组成元素和结合状态的分析,为后续的研究工作奠定基础。1 实验Si-C-O-N 涂层采用上海有线电厂生产的型号为JG-PF-3B 射频磁控溅射仪来沉积。衬底和靶材分别采用市售的单面抛光的 RB SiC 陶瓷和自制的无压烧结的SiC 陶瓷, 尺寸分别为Ф38mm×3mm ...
图2. 样品的 (a) XRD谱图、(b) 拉曼光谱、(c) FT-IR光谱、(d) 氮气等温吸脱附曲线和 (e-i) XPS谱图 图3. (a) CV曲线、(b-d) LSV曲线、(e) 催化剂极限电流密度和半波电位对比、(f) Tafel斜率、(g-h) K-L曲线、(i)H2O2电流(插图为过氧化氢产率和电子转移数曲线)、(j) EIS曲线、(k) ...
手机答题 我的 谁能告诉我XPS中 C=O,C-H,C-Si,Si-O的键能啊? 5 我来答 分享新浪微博QQ空间举报1个回答 #热议# 你见过哪些90后家长教育孩子的“神操作”?GGYYWWY 2007-03-24 · TA获得超过150个赞 知道小有建树答主 回答量:838 采纳率:0% 帮助的人:0 我也去答题访问个人页 关注...
ToF-SIMS和XPS结果表明,SiO0.6电极在0.55 V时已经发生了大块锂化,对应于0.6-0.7 V的不可逆平台,而Si电极,观察到表面SEI的形成,在电位高于0.55V时不发生块状锂化。 图2. 第一次锂化至0.55 V后Si和SiO0.6电极的表征。(a)Si和(b)SiO0.6电极的ToF-SIMS...
(a) O 1s高分辨率XPS谱图; (b) Mt与F-Mt的IR谱图; (c) NaF对MMT的刻蚀过程; (d)和(e) Mt与F-Mt的CV曲线和阻抗曲线。 二:F-Mt对Pb2+的吸附性能及吸附机理 ▲图4: (a) F-Mt用量、时间、温度和pH对Pb2+去除...
表面状态结构与性能以聚硅氧烷为先驱体,采用浸渍裂解工艺制备出3D Cf/Si-O-C陶瓷基复合材料,研究了碳纤维表面状态对材料结构与性能的影响.本研究以热处理的方式改变纤维表面状态,并利用XPS对热处理前后纤维 表面状态进行了表征.结果表明:热处理能够降低纤维表面活性;纤维表面活性降低实现了复合材料中纤维-基体界面的...
用光电子谱(XPS与UPS)和俄歇直读谱峰形分析研究了Si(111)早期氧化和Si-O成键过程.说明氧吸附早期存在"过氧基分子"和氧原子在Si原子上顶位吸附两种状态.随着氧暴置量增加,过氧基分子逐渐消失,而第二层硅原子的背键位置被氧原子占有,同时存在氧原子顶位吸附.氧化层大概有3～4个原子层(约4～5A),存在类SiO_2...
谢谢你的回复，我知道Si-O-Si在821cm也有一个峰，但是就我图上的一个大峰来说，由于C-F只有一个峰...
通过硅氧碳键(Si-O-C)将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜,利用表面增强喇曼光谱(SERS)和X射线光电子能谱(XPS)确证 … d.wanfangdata.com.cn|基于13个网页 2. 聚硅氧烷聚醚 ...油、二甲基硅油、苯基硅油、疏水二氧化硅(白炭黑)、聚硅氧烷聚醚(-Si-O-C-)等。
In addition, measurements of oxide surface-layer thickness of 3.68.0 nm on Ti and Ti-Si compounds were obtained using EPMA and a scanning Auger microprobe (SAM). The nature of the oxide surface layers was shown using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).doi:10.1002/sca.4950150310...