手机答题 我的 谁能告诉我XPS中 C=O,C-H,C-Si,Si-O的键能啊? 5 我来答 分享新浪微博QQ空间举报1个回答 #热议# 你见过哪些90后家长教育孩子的“神操作”?GGYYWWY 2007-03-24 · TA获得超过150个赞 知道小有建树答主 回答量:838 采纳率:0% 帮助的人:0 我也去答题访问个人页 关注...
XPS谱图中有机物中Si-O-Si的键位
结果表明,SiO0.6电极的不可逆平台对应于不可逆块状锂化,但在Si中有表面SEI的形成,在电位高于0.55 V时没有发生大块的锂化。如图2c和d中的XPS深度剖面进一步证实了TOF-SIMS的观测结果,在Ar+溅射12 s后,Si电极中的Li 1s信号消失,而在SiO0.6电极中,Li 1s信号在整个溅射深度内始终存在。ToF-SIMS和XPS结果表明,SiO...
本文采用 XPS 技术,对制备的无定型 Si-C-O-N 涂层进行了相关组成元素和结合状态的分析,为后续的研究工作奠定基础。1 实验Si-C-O-N 涂层采用上海有线电厂生产的型号为JG-PF-3B 射频磁控溅射仪来沉积。衬底和靶材分别采用市售的单面抛光的 RB SiC 陶瓷和自制的无压烧结的SiC 陶瓷, 尺寸分别为Ф38mm×3mm ...
(a) O 1s高分辨率XPS谱图; (b) Mt与F-Mt的IR谱图; (c) NaF对MMT的刻蚀过程; (d)和(e) Mt与F-Mt的CV曲线和阻抗曲线。 二:F-Mt对Pb2+的吸附性能及吸附机理 ▲图4: (a) F-Mt用量、时间、温度和pH对Pb2+去除...
用光电子谱(XPS与UPS)和俄歇直读谱峰形分析研究了Si(111)早期氧化和Si-O成键过程.说明氧吸附早期存在"过氧基分子"和氧原子在Si原子上顶位吸附两种状态.随着氧暴置量增加,过氧基分子逐渐消失,而第二层硅原子的背键位置被氧原子占有,同时存在氧原子顶位吸附.氧化层大概有3～4个原子层(约4～5A),存在类SiO_2...
XPS分峰拟合采用射频磁控溅射法在RB SiC陶瓷基片上制备了无定型Si-C-O-N涂层,利用XPS分析了涂层的组成元素以及相应的结合状态.结果表明:离子轰击对Si,C和N的化学位移影响较大:经过离子轰击后Si-C和Si-N键所占比例上升,而Si-O键则稍有减少;C sp2有所上升,而C-Si键和C-N键则有所下降;N-Si键上升,而N-...
通过硅氧碳键(Si-O-C)将两个内铵盐型碳菁染料在硅表面化学成膜,利用表面增强喇曼光谱(SERS)和X射线光电子能谱(XPS)确证 … d.wanfangdata.com.cn|基于13个网页 2. 聚硅氧烷聚醚 ...油、二甲基硅油、苯基硅油、疏水二氧化硅(白炭黑)、聚硅氧烷聚醚(-Si-O-C-)等。
In addition, measurements of oxide surface-layer thickness of 3.68.0 nm on Ti and Ti-Si compounds were obtained using EPMA and a scanning Auger microprobe (SAM). The nature of the oxide surface layers was shown using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS).doi:10.1002/sca.4950150310...
Si基体上双层Ti—O薄膜的XPS和AES分 析研究 薄膜上再沉积同质薄膜.在膜表层一定厚度内可得到 具有化学配比的Ti02薄膜;氩离子的轰击使钛及碳氧化物内迁ASi 基体,而Si外迁到膜内并 造成多价形式的Ti氧化物共存,TiO2在这些Ti氧化物中所占的比例 髓沉积膜深度呈现先逐渐减 ...