Abweichungen von diesem Modell werden beobachtet, wenn der Widerstand der Schottky-Barriere R sc kleiner wird als der volumenwiderstand R b. Fr diesen Fall wird gefunden, da das Debye- oder modifizierte Debye-Modell der dielektrischen Dispersion anwendbar ist....
Werden zur Bestimmung der Bandverbiegungen plasmonisch aktive Nanopartikel 04 aus Gold (Au) und Emitterkontakte 03 aus Platin (Pt) mit den Schottky-Barrierehöhen 0,8 V bzw. 0,9 V sowie Dotierungen N1D = 1017 und N2D = 1015 Elektronen / cm3 angenommen, so ergibt sich der in ...
Schottkydiode mit vertikaler Barriere Schottky diode with a vertical barrier A field-plate structure is applied to vertical diamond Schottky barrier diode. A sputtered AlOwith 0.2 m thickness is utilized for field-plate insulator. F... F Lanois,S Nizou 被引量: 0发表: 2008年 ...
Diode a barriere de schottkydoi:WO1989002162 A1Robin SmithPeter WennekersWO
Schottkydiode mit vertikaler Barriere Schottky diode with a vertical barrierdoi:DE602005008881 D1Frederic LanoisSylvain Nizou
Nous calculons les hauteurs de barriere de tous les dispositifs et discutons des raisons pour la formation de contact de Schottky ou ohmique. [Traduit par la Redaction]Md MuztobaMukti Rana
We want to highlight that those improvements participates to increase reliability of power modules.doi:10.1016/j.microrel.2017.07.037Barriere, MUniv BordeauxGuedon-Gracia, AUniv BordeauxWoirgard, EUniv BordeauxBontemps, SMicrosemiLe Henaff, FMicroelectronics Reliability...