如今,模拟 IC 主要使用金属氧化物半导体场效应晶体管,即 MOS 晶体管或 MOSFET。在本文中,我们将介绍 MOSFET 的物理实现及其工作原理。 MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件,由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) 组成。图 1 显示了两种类型的 MOS 晶体管:N 沟道 MOSFET (NMOS) 和 P 沟道 MOS...
常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直导电双扩散型场效应晶体管（Planar MOSFET），沟槽型场效应晶体管（Trench MOSFET），超结结构场效应晶体管（Super Junction MOSFET），浮岛结构场效应晶体管等。1、横向导电双扩散型场效应晶体管的结构 N沟道的横向导电...
导电机理与小功率mos管相同,但 结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused ...
MOSFET的结构: 目前SI MOSFET一直是电子工业的主导器件。对性能和集成度的追求,使MOSFET沟道长度和其它尺寸不断地被缩小。 MOSFET的结构:1.沟道掺杂;2,栅叠层;3,源/漏设计。 一、沟道掺杂分布:如下图给出了基于平面工艺的高性能MOSFET一个典型结构示意图。沟道掺杂的峰值位置略低于半导体表面。这种逆向杂质分布通常...
二、MOSFET的结构 MOSFET由金属层(M-金属铝)、氧化物层(O-绝缘层SiO2)和半导体层(S)组成,其名称正是由这三部分的首字母缩写而来。MOSFET的基本结构包括栅极(G)、漏极(D)、源极(S)和体(B)。其中,栅极是控制MOSFET通断的关键部分,漏极和源极分别用于电流的输入和输出,体则连接至特定的电压源。
导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 功率MOSFET的结构图 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(...
MOSFET结构讲解 MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管。它的基本机构如下图(图1)所示:P型半导体作为衬底,其两端各有一个重掺杂N+,分别作为源极(SOURCE,S)和漏极(DRAIN, D),在P型半导体表面涂上一层sio2绝缘层并在绝缘层上引出一端,作为栅极(GATE, G)。
MOSFET的基本工作原理和特性主要围绕MOS结构的工作机制以及MOSFET中沟道的特性展开。在分析MOSFET的工作原理时，我们会遇到两种主要情况：一是MOSFET的漏-源极处于正偏置状态，二是漏-源极处于反偏置状态。当MOSFET的漏-源极处于正偏置状态，即UDS>0时，体端到漏极的二极管会进入反偏置状态，导致PN^+结的空间电荷区...
导电机理与小功率mos管相同,但 结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused M...