导电机理与小功率mos管相同,但 结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused M...
导电机理与小功率mos管相同,但 结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused M...
Super Junction MOSFET 在这样的背景下,为了得到大功率低损耗的功率器件,有学者提出,可以通过设置交替的PN条来提高器件漂移区的掺杂浓度进而实现低导通电阻,此即SUPER JUNCTION MOSFET(SJ MOS)。 图4. SJ MOS结构示意图 功率半导体发展到当今,国内外功率MOS产品不胜枚举,但我们可以根据FOM值来评价产品的优劣,一般来...
MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件,由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) 组成。图 1 显示了两种类型的 MOS 晶体管:N 沟道 MOSFET (NMOS) 和 P 沟道 MOSFET (PMOS)。一般来说,这两种通道类型的行为是相反的。 图1. NMOS 和 PMOS 原理图符号。图片由尼古拉斯·圣约翰提供 ...
MOSFET的种类:按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为: 耗尽型-当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道; 增强型-对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道; 功率MOSFET主要是N沟道增强型。 MOS管结构原理图解(以N沟道增强型为例) ...
功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直导电双扩散型场效应晶体管（Planar MOSFET），沟槽型场效应晶体管（Trench MOSFET），超结结构场效应晶体管（Super Junction ...
在分析MOSFET的基本工作原理时，我们需要考虑两大类情况：一类是漏源极处于正偏置状态，另一类是漏源极处于反偏置状态。当MOSFET的漏源极处于正偏置状态，即UDS>0时，体端到漏极的二极管呈现反偏置特性，PN结的空间电荷区主要在P区内扩展。此时，随着栅极电压UGS的逐渐升高，MOS栅结构会经历耗尽、弱反型和强反型三...
导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 功率MOSFET的结构图 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(...
MODFET（Modulation-Doped FET）用了一个由筛选过的活跃区掺杂组成的量子阱结构。MOSFET用一个绝缘体（通常是二氧化硅）于栅和体之间。NOMFET是纳米粒子有机记忆场效应晶体管（Nanoparticle Organic Memory FET）。OFET是有机场效应晶体管（Organic FET），它在它的沟道中用有机半导体。场效应管与晶体管的比较 （1）...