在半桥结构中,上管还会通过米勒电容影响下管,就是给你一个电流充到门极上,如下图 电压型驱动的高阻抗器件—MOSFET 我们知道,MOSFET门极是高阻抗器件,前面已经看到,在栅极(G)和源极(S)之间是一层二氧化硅(SiO2),这个是绝缘体,因此G-S之间就是高阻抗(几十到几百兆不等),所以一旦驱动异常,其中一种情况是通过米勒电容
体区作为MOSFET结构中的关键组成部分，位于源极和漏极之间，呈现为p型区域。这一区域与源极共同构成一个pn结，其作用在于防止寄生双极型晶体管的不预期导通，从而确保器件的稳定工作。在MOSFET中，源极、栅极和漏极都配备了金属接触电极，这些电极负责与外部电路建立连接，实现电流的输入与输出。1.2 ◆ MOSFET的结...
与传统的机械继电器相比,光耦合MOSFET不仅更小,重量更轻,而且更易于驱动和高速。而且,它也会产生很少的噪音。这些特性使其成为理想的继电器。 结构和功能如下所述。 结构 光耦内部透视图-先进光半导体 如图1所示,光耦合MOSFET由输入侧的发光二极管(LED)、面向LED的光伏二极管(PVD)和用作触点的MOSFET组成。 当正向...
是MOSFET的漏极伏安特性。 截止区(对应于GTR的截止区)、饱和区(对应于GTR的放大区)、非饱和区(对应于GTR的饱和区)三个区域,饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加,非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。 工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。 本身结构所致,漏极和源极之间形成了一个与...
相比之下,SiC通过高速器件结构,使用多数载流器件(肖特基势垒二极管、MOSFET)实现高耐压成为可能,同时实现高耐压、低导通电阻和高速运行。3倍宽的带隙允许功率器件在更高的温度下工作,从而大大扩展了适用性。 碳化硅SBD器件结构和特点 将碳化硅高速器件结构集成到肖特基势垒二极管(SBD)中,可以实现大于600V的耐压(与硅SBD...
MOSFET，即金属氧化物半导体场效应管，通过栅压的精细调控，实现沟道的开启与关闭，进而实现对电流的精准控制。这种器件在集成电路中占据了举足轻重的地位，其广泛的应用使得它成为当前技术领域中的关键组件。深入理解MOSFET的基本结构对其工作原理的把握至关重要。MOSFET类型与特点 在MOSFET的众多类型中，根据沟道导电方向，...
( 1 )电力 MOSFET 采用垂直导电结构,增大了其通过电流的有效面积,从而大大提高了 MOSFET 器件的耐压和耐电流能力; ( 2 )电力 MOSFET 也是多元集成结构,一个器件由 许多个小 MOSFET 组成,使其承受 di/ dt 能力更强,耐电 压和耐电流能力更强; ( 3 )电力 MOSFET 多了一个 N- 漂移区(低掺杂 N 区 ),...
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构有:平面结构和沟槽结构。 平面SiC MOSFET结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间,N区夹在两个P区域之间,当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时,将产生JFET效应,从而增加通态电阻;同时,这种结构的寄生...
解析 答: 1)电力MOSFET大都采用垂直导电结构(2分),这大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 2)与信息电子电路的MOSFET相比,电力MOSFET多了一个N-漂移区(低掺杂N区)(2分),这是用来承受高电压。结果一 题目 与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有耐受高压和大电流的能力 答案 ...