平面SiC MOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间,N区夹在两个P区域之间,当电流被限制在靠近P体区域的狭窄的N区中流过时,将产生JFET效应,从而增加通态电阻;同时,这种结构的寄生电容也较大。 图1:平面SiC MOSFET的结构 沟槽SiC MOSFET的结构,如图...
而Si MOSFET 在150℃时导通电阻上升为室温条件下的2 倍以上,与Si MOSFET 不同,SiC MOSFET的上升率比较低,因此易于热设计,且高温下的导通电阻也很低。 4 驱动门极电压和导通电阻 SiC‐MOSFET 的漂移层阻抗比Si MOSFET低,但是另一方面,按照现在的技术水平,SiC MOSFET的MOS 沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻...
SiC MOS管的基本结构与传统的硅基MOSFET相似，主要由源极(Source)、漏极(Drain)、栅极(Gate)以及衬底组成。然而，SiC MOS管的材料基础——碳化硅，赋予了它一些独特的性能优势。衬底：SiC MOS管通常采用高纯度的碳化硅作为衬底材料。这种材料具有极高的热导率和电子迁移率，能够承受更高的工作温度和电压。栅极氧化层...
Si的功率MOSFET,因其高耐压且可降低导通电阻,近年来超级结(Super Junction)结构的MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET”)应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET,这里给出了DMOS结构,不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。 在特征方面,Si-DMOS存在导通电阻方面的课题,如前所述通过采...
SiC-MOSFET采用沟槽结构可最大限度地发挥SiC的特性 碳化硅MOS的优势 硅IGBT在一般情况下只能工作在20kHz以下的频率。由于受到材料的限制,高压高频的硅器件无法实现。碳化硅MOSFET不仅适合于从600V到10kV的广泛电压范围,同时具备单极型器件的卓越开关性能。相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在开关电路中不存在电流拖尾的情况具有更低...
SiC中压MOSFET是一种MOSFET型的功率半导体器件,其主要特点是采用了碳化硅(SiC)作为半导体材料,并具有高压、低损耗、高速度等优点。SiC中压MOSFET一般用于高压、高功率的电源电路中,其控制电路也比较简单,因此得到了广泛的应用。 二、SiC中压MOSFET的结构 SiC中压MOSFET的结构与普通的晶体管相似,其主要包括四个部分:源...
并联结构可以有效提高电路的功率承受能力和工作效率,实现更大功率的输出。 2. sic mosfet单管并联结构中各个管子并联连接后,电流将分散流过各个管子,从而分担每个管子所承受的电流负荷,减小局部热点,提高整体散热效果。 三、特点 1. 高功率承受能力:sic mosfet单管并联结构可以实现多个管子同时工作,因此具有较高的功率...
碳化硅MOS管 SiC-MOSFET Si-IGBT IGBT SJ-MOSFET Si功率元器件 MOSFET 超级结MOSFET 二极管 晶体管 SBD SLKOR 本文由雪飘梦飞转载自SLKOR官网,原文标题为:碳化硅MOS管(SiC-MOSFET)的特征,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
1)作为工艺关键步骤来说:栅氧作为SiC MOSFET制成重中之重的一步,栅氧设备的管控非常严格,杂质离子微乎其微。 2)作为器件关键结构来说:栅氧作为SiC MOSFET电性能、可靠性等关键影响因素,杂质离子的出现会致使栅氧质量过差。 因此,体现在大家面前的成品MOS,这一部分的缺陷可以忽略不记。 2.氧化物陷阱电荷 氧化...
我们的SiC MOSFET模块开发用于铁路车辆的逆变器和转换器、光伏逆变器和工业电机驱动等需要大电流和高电压的应用,它采用我们的第三代SiC MOSFET芯片实现了高可靠性、宽栅极-源极电压范围,高的栅极阈值电压。此外,高耐热性和低电感封装充分实现了SiC的性能。