Super Junction MOSFET 在这样的背景下,为了得到大功率低损耗的功率器件,有学者提出,可以通过设置交替的PN条来提高器件漂移区的掺杂浓度进而实现低导通电阻,此即SUPER JUNCTION MOSFET(SJ MOS)。 图4. SJ MOS结构示意图 功率半导体发展到当今,国内外功率MOS产品不胜枚举,但我们可以根据FOM值来评价产品的优劣,一般来...
常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直导电双扩散型场效应晶体管（Planar MOSFET），沟槽型场效应晶体管（Trench MOSFET），超结结构场效应晶体管（Super Junction MOSFET），浮岛结构场效应晶体管等。1、横向导电双扩散型场效应晶体管的结构 N沟道的横向导电...
导电机理与小功率mos管相同,但 结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused M...
与常规MOSFET结构不同,内建横向电场的MOSFET嵌入垂直P区将垂直导电区域的N区夹在中间,使MOSFET关断时,垂直的P与N之间建立横向电场,并且垂直导电区域的N掺杂浓度高于其外延区N-的掺杂浓度。 当VGS<VTH时,由于被电场反型而产生的N型导电沟道不能形成,并且D,S间加正电压,使MOSFET内部PN结反偏形成耗尽层,并将垂直导...
高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构,采用厚低掺杂的N-外延层epi,保证器件具有足够击穿电压,低掺杂N-外延层epi尺寸越厚,耐压额定值越大,但是,导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长,导通电阻急剧增大,电流额定值降低。
垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应,如果把水平的沟道变为垂直沟道,从侧面控制沟道,就可以消除JFET效应。 (a) 水平沟道 (b) 垂直沟道 (c) 栅极沟槽 (d) 沟槽结构 图1. 沟槽结构功率MOSFE管 为了形成这种垂直沟道结构,必须在N-外延层中开沟槽,沟槽表面制作氧化层后,在沟槽内部填充多晶硅形成栅...
MOSFET的分类 MOSFET的种类:按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为: 耗尽型-当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道; 增强型-对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道; 功率MOSFET主要是N沟道增强型。 MOS管结构原理图解(以N沟道增强型为例) ...
导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 功率MOSFET的结构图 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(...
MOSFET的基本结构由金属-氧化物-半导体组成,以下将详细介绍其结构和工作原理。 1. 金属-氧化物-半导体结构 MOSFET的基本结构由三个主要部分组成:源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。在半导体材料上的栅极之下,有一层非导电的氧化物层,如二氧化硅(SiO2),将栅极与半导体材料隔离开来。在氧化物层之上,覆盖有...