Super Junction MOSFET 在这样的背景下,为了得到大功率低损耗的功率器件,有学者提出,可以通过设置交替的PN条来提高器件漂移区的掺杂浓度进而实现低导通电阻,此即SUPER JUNCTION MOSFET(SJ MOS)。 图4. SJ MOS结构示意图 功率半导体发展到当今,国内外功率MOS产品不胜枚举,但我们可以根据FOM值来评价产品的优劣,一般来...
MOSFET主要分为N沟道和P沟道两种类型，N沟道MOSFET的导电载流子是电子，P沟道MOSFET的导电载流子是空穴。这两种类型的MOSFET在工作原理上相似，但在电压极性和电流方向上相反。根据导电沟道在零栅压下的状态，MOSFET又可分为增强型和耗尽型。增强型MOSFET在零栅压时没有导电沟道，需要施加一定的栅极电压才能形成沟道。耗...
常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直导电双扩散型场效应晶体管（Planar MOSFET），沟槽型场效应晶体管（Trench MOSFET），超结结构场效应晶体管（Super Junction MOSFET），浮岛结构场效应晶体管等。1、横向导电双扩散型场效应晶体管的结构 N沟道的横向导电...
在电源管理这块，MOSFET可是个大明星，它在开关电源、线性稳压电源和充电器这些电路里用得特别多。就说开关电源吧，MOSFET就相当于一个开关，通过快速地开合动作，把直流电变成高频交流电，然后经过整理和过滤，最后输出稳定的好直流电。这种方式不仅效率高，还能省不少电呢。2、电机驱动 MOSFET在电机驱动方面也很牛，...
MOSFET结构 MOS 晶体管是一种四端器件,由栅极 (G)、漏极 (D)、源极 (S) 和体 (B) 组成。图 1 显示了两种类型的 MOS 晶体管:N 沟道 MOSFET (NMOS) 和 P 沟道 MOSFET (PMOS)。一般来说,这两种通道类型的行为是相反的。 图1. NMOS 和 PMOS 原理图符号。图片由尼古拉斯·圣约翰提供 ...
在分析MOSFET的基本工作原理时，我们需要考虑两大类情况：一类是漏源极处于正偏置状态，另一类是漏源极处于反偏置状态。当MOSFET的漏源极处于正偏置状态，即UDS>0时，体端到漏极的二极管呈现反偏置特性，PN结的空间电荷区主要在P区内扩展。此时，随着栅极电压UGS的逐渐升高，MOS栅结构会经历耗尽、弱反型和强反型三...
MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，由MOS和FET两个缩写组合而成。其结构特点在于金属层（通常为铝）与隔着氧化层的半导体材料之间形成栅极，通过调节栅极电压来控制半导体内部的电荷分布，从而实现电流的控制。在MOSFET中，通过在栅极施加电压，会产生一个电场效应，这个电场能够控制半导体内部的导电沟道的开关状态。
MOSFET的种类:按导电沟道类型可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为: 耗尽型-当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道; 增强型-对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道; 功率MOSFET主要是N沟道增强型。 MOS管结构原理图解(以N沟道增强型为例) ...
来源:Baliga B.J.-Advanced Power MOSFET Concepts-Springer (2010) 上两章讨论的功率MOSFET结构在阻断模式下工作时,利用二维电荷耦合来支撑漏电压。这些器件中的电荷耦合是通过将源电极置于与晶圆表面垂直的涂有氧化物的沟槽内来实现的。在这些结构中,耗尽层同时在水平的P-N结和沟槽侧壁的垂直MOS界面上形成。x方向...
导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。 功率MOSFET的结构图 按垂直导电结构的差异,又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(...