MOSFET 的电气行为由其四个端子中每个端子的电压电平决定。对于图 4 中的 NMOS,栅极和漏极端子连接到独立的电压源。源极和主体接地。 图4.施加电压源的 NMOS 晶体管。图片由尼古拉斯·圣约翰提供 由于NMOS 是 N 沟道器件,因此只有在源极和漏极之间形成电子沟道(因此为负掺杂)时,它才会传导电流。当栅极处于 0 ...
虽然有不同的结构,但其工作原理是相同的,这里就不一一介绍了。 场效应管(MOSFET)的工作原理 要使增强型N沟道场效应管(MOSFET)工作,要在G,S之间加正电压VGS及在D.S之间加正电压VDS,则产生正向工作电流ID,改变VGS的电压可控制工作电流ID,如图3所示(上面1) 若先不接VGS(即VGS-0),在D与S极之间加一正电压VDS...
由于沟道型,因此也叫做P沟道MOSFET。 由于P型半导体中的电流在“空穴”的作用下运动,因此与“电子”流动的N型半导体相比,电流更不容易流动。也就是说,在相同芯片尺寸的情况下,P沟通MOS管的导通电阻比N型更大。
我们将参照图3-6(a)来解释MOSFET的工作原理。 (1)在漏极为正极的漏极和源极之间施加电压。(漏极-源极电压:VDS) (2)在栅极为正极的栅极和源极之间施加电压。(栅极-源极电压:VGS) (3)其结果是,电子被吸引到栅极绝缘膜下面的p型层上,部分p型层转变为n型区(p型层中的n型区称为“反转层(沟道)”)。
MOSFET的基本工作原理和特性主要体现在MOS结构的工作原理以及MOSFET中沟道的特性。此时要分两大类情况来分析MOSFET的基本工作原理,一类是MOSFET的漏-源极处于正偏置状态,另一类是漏-源极处于反偏置状态。 当MOSFET的漏-源极处于正偏置状态,即UDS>0时,体端到漏极的二极管处于反偏置状态,PN+结的空间电荷区主要是在P...
功率MOSFET为多元集成结构,如国际整流器公司(International Rectifier)的HEXFET采用了六边形单元;西门子公司(Siemens)的SIPMOSFET采用了正方形单元;摩托罗拉公司(Motorola)的TMOS采用了矩形单元按"品"字形排列。 2.功率MOSFET的工作原理 截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏...
MOSFET的工作原理是外加屏蔽极电压(gate voltage)会影响源-漏极的接触,从而调节MOSFET的电流传输特性来实现电力控制。MOSFET的电流传输特性是直流电阻,也就是当外加的控制电压在一定范围内时,表现出低直流电阻。因此,当控制电压输入给屏蔽极时,源-漏极的电阻就会发生变小,从而引起MOSFET将输入的控制电压变成高电流。
我们所熟知的所有电力电子器件,如 IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、晶闸管以及功率二极管,为满足耐压要求,电流都是垂直流动的。 具体到 IGBT 而言,空穴电流从背面的集电极流向正面的发射极(红色);电子电流从发射极出发,穿过表面反型沟道,流向背面的集电极(蓝色),如图 1 所示。
【技术文章】MOSFET结构和工作原理 功率场效应管(Power MOSFET)也叫电力场效应晶体管,是一种单极型的电压控制器件,不但有自关断能力,而且有驱动功率小,开关速度高、无二次击穿、安全工作区宽等特点。由于其易于驱动和开关频率可高达500kHz,特别适于高频化电力电子装置,如应用于DC/DC变换、开关电源、便携式电子设备、...