不同结构类型的MOSFET。 平面型MOSFET。 平面型MOSFET是最为传统和常见的结构。它的结构特点在于源极、漏极和栅极都处于同一平面上。在制造过程中,通过光刻、蚀刻等工艺,在硅片上依次形成不同的半导体区域和绝缘层。 从横截面看,源极和漏极区域对称地分布在栅极两侧,中间隔着绝缘层。这种结构的优点是工艺相对简单,易于大
沟槽结构SiC MOSFET几种常见的类型 描述 SiC MOSFET沟槽结构将栅极埋入基体中形成垂直沟道,尽管其工艺复杂,单元一致性比平面结构差。但是,沟槽结构可以增加单元密度,没有JFET效应,寄生电容更小,开关速度快,开关损耗非常低;而且,通过选取合适沟道晶面以及优化设计的结构,可以实现最佳的沟道迁移率,明显降低导通电阻,因此,新...
MOSFET，即金属氧化物半导体场效应管，是一种极具灵活性的器件，广泛应用于各种电路的构建。无论是开关、放大器、振荡器还是逻辑门等电路，MOSFET都能胜任。其典型平面结构主要包括以下几个关键部分：栅极，作为控制元件，负责开启和关闭沟道；源极，提供输入端电子的来源；漏极，作为电子的流出口；以及衬底，作为底层...
根据沟道导电方向的不同，MOSFET可分为横向导电双扩散型场效应晶体管（LDMOS）和垂直导电双扩散型场效应晶体管（VDMOS）。◇ 横向导电型（LDMOS） LDMOS的平面结构呈现出一种独特的设计：其沟道是水平的，而栅极则是垂直的。这种设计不仅带来了更高的开关速度，因为水平沟道使得栅极能更有效地控制沟道中的载流子流动；...
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MOSFET实物及不同类型MOSFET结构和性能比较,数据源于功率半导体行业深度报告:能源变革大时代功率器件大市场-230421(49页).pdf。
结型FET;MOSFET;电压 场效应管(FET)按结构可分为结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOSFET)两大类。其核心工作原理是通过栅极电压控制导电沟道的通断或宽窄,从而调节漏极电流,因此属于"电压控制型器件"。结型FET通过PN结反向偏压控制沟道,而MOSFET通过绝缘层上的电场效应控制沟道。两类器件均需外部...
其实,在 DC-DC 转换器中,上管的选择主要取决于它的开关速度和导通电阻。我们知道,在 MOSFET 中,NMOS 和 PMOS 是两种常见的结构。那么,为什么 DC-DC 上管不是运用 PMOS 而是 NMOS 呢?这个问题,我们还得从它们的特性说起。 NMOS 和 PMOS 的最大区别在于它们的沟道类型。NMOS 的沟道是由 n 型半导体构成的,...
最后,晶体管是半导体芯片中的另一种关键元器件,具有放大电信号和控制电流等功能。晶体管主要分为双极晶体管(BJT)和场效应晶体管(MOSFET)两种类型。 综上所述,半导体芯片的基础知识涉及材料特性、核心结构、PN结以及晶体管等多个方面。这些知识的理解和掌握对于深入研究和应用半导体芯片技术具有重要意义。#芯片(集成电路...