功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。分类 功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（...
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并于1960年6月首次推出。它是现代电子学的基本组成...
控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。● MOS管的作用 在板级电路设计中，MOS管最常用的作用。MOS管在电路中可以用作开关：可以控制电路的传导或截止，使得电路可以输出所需要的电信号。当在Vgs为高电...
JFET的全称分为结型场效应晶体管,MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管(FET),场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以及放大电路。 2023-12-08 - 技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务 详解耗尽型MOS管在电...
MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件,通常工作电流大于1A。 由于功率器件的分类方式非常多样,且各分类方式的分类逻辑并不存...
MOSFET是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,属于电压控制电流型元件,是开关电路中的基本元件,其栅极(G极)内阻极高。以N沟道增强型为例,其结构为在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
MOS场效应管,即金属氧化物半导体场效应管,有以下几种常见的类型: 1. N沟道MOSFET(N-Channel MOSFET):这是一种以N型沟道为特征的MOSFET。在这种器件中,沟道区域由N型材料构成,通过正向偏置来控制电流。 2. P沟道MOSFET(P-Channel MOSFET):这是一种以P型沟道为特征的MOSFET。在这种器件中,沟道区域由P型材料构...
此外,晶体管还有另外一个分支,叫场效应管(Field Effect Transistor,简称FET),由结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,简称JFET,1952年诞生)和应用更为广泛的金属氧化物半导体场效应管(Meta Oxide Semiconductor FET,简称MOSFET,1960年诞生)组成。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS...