场效应管输出电流由输入的电压(或称场电压)控制,其输入的电流极小或没有电流输入,使得该器件有很高的输入阻抗,这也是MOS管被称为场效应管的重要原因。 MOS管工作原理 1、N沟道增强型场效应管原理 N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层,然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区,从N型区引出电极(...
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。分类 功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（...
JFET的全称分为结型场效应晶体管,MOSFET的全称为金属氧化物半导体场效应晶体管。耗尽型MOSFET与JFET均属于电压控制型场效应晶体管(FET),场效应晶体管通过电场来控制导电沟道的电导率。应用场景包括RF技术、电路开关、功率控制以及放大电路。 2023-12-08 - 技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务 详解耗尽型MOS管在电...
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并于1960年6月首次推出。它是现代电子学的基本组成...
MOSFET是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,属于电压控制电流型元件,是开关电路中的基本元件,其栅极(G极)内阻极高。以N沟道增强型为例,其结构为在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS...
MOS场效应管,即金属氧化物半导体场效应管,有以下几种常见的类型: 1. N沟道MOSFET(N-Channel MOSFET):这是一种以N型沟道为特征的MOSFET。在这种器件中,沟道区域由N型材料构成,通过正向偏置来控制电流。 2. P沟道MOSFET(P-Channel MOSFET):这是一种以P型沟道为特征的MOSFET。在这种器件中,沟道区域由P型材料构...
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOS管即MOSFET,中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。MOSFET又可分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。
引言：MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管（MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的缩写，具有高速和低损耗的特性，广泛应用于各种领域。和普通的阻容一样，MOS也有其寄生模型，了解其等效寄生模型有助于我们在高速应用中快速掌握其特性。1.基本模型 图1-1：NMOS和PMOS实际寄生模型 MOSFET与双极功率晶体...