金属氧化物半导体场效应管 外文名 MOSFET 构成材料 金属、氧化物及半导体 别名 MOS管 折叠编辑本段主要优点 MOSFET是一种电压控制式功率半导体器件,具有开关速度快、高频特性好、热稳定性好、噪声低、驱动电路简单、驱动功率小、安全工作区宽、无二次击穿问题等显著优点。
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并于1960年6月首次推出。它是现代电子学的基本组成...
掺入五价元素,取代晶格中硅原子的位置,就形成N型半导体:自由电子为多子,空穴为少子,靠自由电子导电 有了以上基础概念,我们再仔细学习一下MOS和FET的概念:MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)表示金属—氧化物—半导体三种材料(如图a所示),也就是MOSFET的核心材料。而FET(Field-Effect Transistor)表示场效应管[3],指利用...
MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写,FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 FET是具有源极(S),栅极(G),漏极(D)和主体(B)端子的四端子设备。FET通过向栅极施加电压来控制电流,从而改变漏极和源极之间的电导率。由于它仅靠半导体中的...
MOSFET是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,属于电压控制电流型元件,是开关电路中的基本元件,其栅极(G极)内阻极高。以N沟道增强型为例,其结构为在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
MOS管是压控型,导通由G和S极之间压差决定。对NMOS来说,Vg-Vs>Vgs(th),即G极和S极的压差大于一定值,MOS管会导通,但是也不能大太多,否则烧坏MOS管,开启电压和其他参数可以看具体器件的SPEC。对PMOS来说,Vs-Vg>Vgs(th),即S极和G极的压差大于一定值,MOS管会导通,同样的,具体参数看器件的SPEC。
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率MOSFET的结构 功率MOSFET的内部结构和电气符号如图所示,它可分为 NPN型和PNP型。NPN型通常称为N沟道型,PNP型通常称...
MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件,通常工作电流大于1A。 由于功率器件的分类方式非常多样,且各分类方式的分类逻辑并不存...
2.MOSFET管基本结构与工作原理 mos管学名是场效应管,是金属-氧化物-半导体型场效应管,属于绝缘栅型。本文就结构构造、特点、实用电路等几个方面用工程师的话简单描述。其结构示意图: MOS场效应三极管分为:增强型(又有N沟道、P沟道之分)及耗尽型(分有N沟道、P沟道)。N沟道增强型MOSFET的结构示意图和符号见上...