控制栅极电压VGS的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流ID的大小的目的，这也是MOS管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。● MOS管的作用 在板级电路设计中，MOS管最常用的作用。MOS管在电路中可以用作开关：可以控制电路的传导或截止，使得电路可以输出所需要的电信号。当在Vgs为高电...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子电路必不可少的元件,应用广泛。然而,它被用于现代电子学中的各种模拟和数字电路设计。然而,这种小电流会对电路性能产生负面影响,并且可能是低功耗系统中的一个主要问题。本文详细分析了不同类型MOS管漏电流及其产生的原因,以便工程师更好地了解和处理这个问题。 2025-...
功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。分类 功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（...
场效应管主要有两种类型,分别是结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)。 MOSFET的中文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管,由于这种场效应管的栅极被绝缘层隔离,所以又叫绝缘栅场效应管。 MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并于1960年6月首次推出。它是现代电子学的基本组成...
MOSFET全称Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor,中文名为金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管或MOS管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。而功率MOSFET则指处于功率输出级的MOSFET器件,通常工作电流大于1A。 由于功率器件的分类方式非常多样,且各分类方式的分类逻辑并不存...
MOSFET是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,属于电压控制电流型元件,是开关电路中的基本元件,其栅极(G极)内阻极高。以N沟道增强型为例,其结构为在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。
此外,晶体管还有另外一个分支,叫场效应管(Field Effect Transistor,简称FET),由结型场效应管(Junction Field Effect Transistor,简称JFET,1952年诞生)和应用更为广泛的金属氧化物半导体场效应管(Meta Oxide Semiconductor FET,简称MOSFET,1960年诞生)组成。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三个管脚，分别为栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS...
MOS集成电路 MOSFET是一类受欢迎的晶体管,也是集成电路芯片进行电气运行的基本元件。它不需要像双极晶体管那样通过一系列步骤来完成芯片上的P-N端隔离。相反,它们确实保证了相对容易的隔离。 CMOS电路 互补金属氧化物半导体(CMOS)是一种集成电路开发技术。该技术用于生产集成电路(IC)芯片,如微处理器、微控制器、存储芯...