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n型MOSFET是一种四端器件,p型硅衬底上有两n区构成源和漏,金属或重掺杂多晶硅作为栅,与衬底间由二氧化硅薄膜(栅氧)隔开。栅氧下源和漏间的表面区域称为沟道。 1.1 载流子浓度 根据量子力学,单位体积中电子在能量E和E+dE间的态密度满足 N(E)dE=2gdpxdpydpzh3 电子动能较小时,可以认为导带底Ec附近的色散关系...
金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等 N沟道MOSFET可以理解为在P型基座上刨除两个N型沟道,如...
MOSFET的结构和工作原理 MOS结构与MOS电容 所谓MOS结构,如图所示,就是由金属-氧化物-半导体 (Metal-Oxide-Semiconductor)构成的一种类似于平板电容器 的电容结构,其中金属通常称为栅电极 (Gate),半导体作 为衬底材料,氧化物称为绝缘栅介质。 氧化层厚度tox, 介电常数εox 以NMOS 为例( 之后除非有特别说明,我们都...
产品说明 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) 包装 托盘 可售卖地 全国 用途 军工 类型 通信IC 型号 BLF177 货号 BLF177 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...
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金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种极为重要的半导体器件,它在现代电子学中扮演着关键角色。MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并且自1960年代以来一直在推动电子半导体技术的发展。
图1. n沟道MOSFET的基本模型,源极到漏极的间距(沟道长度)为L,沟道宽度(垂直于纸面平面的z方向)为W。 图1所示的基本MOSFET中的n型源极和漏极区域由称为沟道长度L的横向距离分隔。沟道长度沿图中的y轴延伸,而进入硅(垂直于氧化层)的方向常规上指定为x方向,源极和漏极区域在电气上是断开的,除非在表面存在一...
超高效能 MOSFET 新一代消费者、计算机和通讯产品设计,都需要运用 MOSFET,让设计人员得以优化他们的终端产品应用。我们广泛的 MOSFET 产品组合包括 N 信道和 P 信道,范围从 -450V 到 800V,并封装于单一、双重、互补和 H 桥 (四信道) 配置中。 相关连结 ...