封装 晶体管 批号 2019+ 数量 150 系列 分立半导体 功率 标准 特色服务 RF MOSFET Transistors 应用领域 军工/航天 产品说明 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) 包装 托盘 可售卖地 全国 用途 军工 类型 通信IC 型号 BLF177 货号 BLF177 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价...
本公司生产销售晶体管 晶体管,提供晶体管专业参数,晶体管价格,市场行情,优质商品批发,供应厂家等信息.晶体管 晶体管 品牌NXPNEXPERIA|产地广东|价格28.00元|型号AFT27S010NT1|系列AFT27S010NT1|批号22+|封装SMD|零件状态在售|包装编带|数量20000广东晶体管;NXPNEXPERIA晶体
产品种类 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) 系列 SD2943 湿度敏感性 Yes 单位重量 7.800 g 可售卖地 全国 型号 SD2943W 技术参数 品牌: STM 型号: SD2943W 数量: 30000 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 系列: SD2943 湿度敏感性: Yes 单位...
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 详细信息 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 132 mA Vds-漏源极击穿电压: - 500 mV, 65 V 增益: 17.6 dB 输出功率: 1.5 W 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: TO-27...
类型 RFPowerMOSFET 型号 PD55003L-E 技术参数 品牌: ST 型号: PD55003L-E 封装: QFN 批次: 19+ 数量: 2611 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 2.5 A Vds-漏源极击穿电压: 40 V 增益...
MACOM Tech MRF 系列器件是高性能 1MHz 至 3.5GHz 双极射频晶体管。MRF 系列器件是广泛的射频功率晶体管的一部分,其中还包括托盘放大器、TMOS 和 DMOS 晶体管以及 LDMOS 晶体管。 MRF137 特征 保证28 V、150 MHz 性能 - 输出功率 = 30 W 最小增益 = 13 dB 效率 — 60%(典型值) ...
MOSFET 2,804 RS-485接口IC 10,042 模拟比较器 32,634 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1,051 多层陶瓷电容器MLCC - 含引线 4,987 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 279 麦克风 3,587 运算放大器 - 运放 22,250 Tantalum Capacitors - Polymer ...
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 技术: Si 封装: Cut Tape 封装: Reel 商标: NXP Semiconductors 产品类型: RF MOSFET Transistors 工厂包装数量: 50 子类别: MOSFETs 零件号别名: 935320584128 单位重量: 3.395 g PDF资料 百度爱采购温馨提示 · 以上商品信息由淘IC提供并负...
封装: 晶体管 批号: 2019+ 数量: 150 系列: 分立半导体 功率: 标准 特色服务: RF MOSFET Transistors 应用领域: 军工/航天 产品说明: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) 包装: 托盘 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不...
类型 RF Power MOSFET 型号 PD85004 技术参数 品牌: ST专家 型号: PD85004 批号: 18+ 封装: SOT-89 数量: 2500 QQ: 2355656828 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RoHS: 是 晶体管极性: N-Channel 技术: Si Id-连续漏极电流: 2 A Vds-漏源极击穿电压...