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n型MOSFET是一种四端器件,p型硅衬底上有两n区构成源和漏,金属或重掺杂多晶硅作为栅,与衬底间由二氧化硅薄膜(栅氧)隔开。栅氧下源和漏间的表面区域称为沟道。 1.1 载流子浓度根据量子力学,单位体积中电子在能…
金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等 N沟道MOSFET可以理解为在P型基座上刨除两个N型沟道,如...
金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种极为重要的半导体器件,它在现代电子学中扮演着关键角色。MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并且自1960年代以来一直在推动电子半导体技术的发展。
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所谓MOS结构,如图所示,就是由金属-氧化物-半导体 (Metal-Oxide-Semiconductor)构成的一种类似于平板电容器 的电容结构,其中金属通常称为栅电极 (Gate),半导体作 为衬底材料,氧化物称为绝缘栅介质。 氧化层厚度tox, 介电常数εox 以NMOS 为例( 之后除非有特别说明,我们都是以 NMOS为例),如图所示为一个MOS晶体...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的原理和结构,本视频由中皖本色传媒提供,75次播放,好看视频是由百度团队打造的集内涵和颜值于一身的专业短视频聚合平台
图1所示的基本MOSFET中的n型源极和漏极区域由称为沟道长度L的横向距离分隔。沟道长度沿图中的y轴延伸,而进入硅(垂直于氧化层)的方向常规上指定为x方向,源极和漏极区域在电气上是断开的,除非在表面存在一个n型反转层,以提供在它们之间的导电通道。