产品说明 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET) 包装 托盘 可售卖地 全国 用途 军工 类型 通信IC 型号 BLF177 货号 BLF177 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的...
1.2 金属-氧化物-半导体(MOS)系统的能带 为p型MOS系统的栅加负压,半导体表面的能带向上弯,表面的价带相比体的价带更接近Fermi能级,多数载流子增多,这种情形称为积累;为栅加正压,半导体表面的能带向下弯,表面的价带相比体的价带更远离Fermi能级,多数载流子减少;表面的导带相比体的导带更接近Fermi能级,电压较低时,表面...
金属-氧化物半导体场效应晶体管,是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。 MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称上包括NMOS、PMOS等 N沟道MOSFET可以理解为在P型基座上刨除两个N型沟道,如...
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金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种极为重要的半导体器件,它在现代电子学中扮演着关键角色。MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,并且自1960年代以来一直在推动电子半导体技术的发展。
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一种混合半导体功率器件,它具有多元的闭合的功率晶体管单元,其每一单元均由实际上构成一个闭合单元的第一个与第二个沟槽栅极围绕着,它还具有多元的包含两个实际上平行的沟槽栅极的条状单元,这两个平行的沟槽栅极构成一个实际上被拉长的条状单元,在其中,闭合单元与条状单元构成共同享用沟槽栅极的相邻单元,这些被共用...
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