所谓功率场效应管(MOSFET)(Power场效应管(MOSFET))是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。 场效应管(MOSFET)的结构 图1是典型平面N沟道增强型场效应管(MOSFET)的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la),在其面上扩散了两个N型区(图1b),再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)...
MOSFET的内部结构:MOSFET是Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor的缩写,即金属-氧化物-半导体场效应晶体管,是集成电路的基础。MOSFET都是做在衬底上的,以NMOS为例,如图,在一块p型衬底(p-sub,衬底又叫Bulk或Body)上,形成两块重掺杂的n+区,分别为源(Source)和漏(Drain);衬底之上用SiO2做一块绝缘层,...
小结:MOSFET 实际上就是一个压控电阻,这个电阻处于源漏之间,可以通过控制栅压来控制沟道中载流子数目,进而控制沟道电导;栅压在氧化层中产生感生电场,影响半导体的能带结构。本小节我们认识了MIS结构和MOSFET结构的基本特点,需要认识到三端栅源漏各自的特点与作用,下一节我们深入学习MOSFET的电流模型和电路中的作用。
基于超结SuperJunction的内建横向电场的高压功率MOSFET就是基本这种想法设计出的一种新型器件。内建横向电场的高压MOSFET的剖面结构及高阻断电压低导通电阻的示意图如图3所示。Infineon最先将这种结构生产出来,并为这种结构的MOSFET设计了一种商标CoolMOS,这种结构从学术上来说,通常称为超结型功率MOSFET。 图3:内建横向...
mos管的结构图 当漏源电压(VDS)连接在漏极和源极之间时,正电压施加到漏极,负电压施加到源极。在这里,漏极的 PN 结是反向偏置的,而源极的 PN 结是正向偏置的。在这个阶段,漏极和源极之间不会有任何电流流动。 如果我们将正电压 (VGG ) 施加到栅极端子,由于静电引力,P衬底中的少数电荷载流子(电子)将开始...
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。 功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET...
MOSFET的基本结构电路图 图所示为IR功率MOSFET的基本结构。图中每一个六角形是一个MOSFET的原胞(cell)。正因为原胞是六角形的(hexangular),因而IR常把它称为HEXFET。功率MOSFET通常由许多个MOSFET原胞组成。已风行了十余年的IR第三代(Gen-3)HEXFET每平方厘米约有18万个原胞,目前世界上密度最高的IR第八代(Gen-...
EMOSFET的结构: N通道增强型MOSFET的结构图 该图显示了N沟道E-MOSFET的结构。DE-MOSFET结构与E-MOSFET结构之间的主要区别,正如我们从下面给出的图中看到的那样,E-MOSFET基板一直延伸到二氧化硅(SiO 2),并且在源极和漏极之间没有掺杂通道和排水管。当向其施加正栅极 - 源极电压V GS时,通道在这些mosfet中被电诱...
关注”功率器件显微镜“公众号,发送“路线图”获取IEEE宽禁带器件技术路线图 SiC MOSFET自2010年Cree和ROHM推出1G以来,平面栅结构一直被使用,但平面栅结构限制了元胞间距的减小速率,预计在更高代次的产品中沟槽栅结构将取代平面栅结构。功率晶体管由很多个元胞组成,这些元胞以间距大小Cell Pitch为特征。技术扩展旨在减...
)。 如下图,左边的是传统沟槽MOSFET的结构,右图是SGT-MOSFET的结构图。从图中可以明显看到,两者结构很接近,简而言之 2024-11-08 10:36:34 实用MOSFET的类别、选型及应用指南的介绍 MOSFET是场效应管的一种,属于绝缘栅型场效应晶体管,全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管。如图1为MOSFET的结构图,是利用电场来...