2018年11月,该实验室发布了III-V太阳能电池在屋顶或地面大规模安装使用的潜力研究报告,并绘制了以低于0.50美元/ WDC为目标的降成本路线图(仅包括太阳能电池本身的成本,不包括任何包装、连接和覆盖玻璃的成本)。报告要点如下: 1. III-V族太阳能电池技术和市场应用情况概述 III-V族材料是一类由元素周期表第III族和...
此外,III-V 族半导体在光伏领域至关重要,有助于创建高效太阳能电池,有效地将阳光转化为电能。III-V 族半导体的带隙特性有利于有效的光子吸收,从而使 III-V 族半导体成为利用太阳能的理想选择。 最新研究和进展 近年来,研究人员在提高 III-V 族半导体的性能和拓宽应用可能性方面投入了大量精力。在开发新型 III-V...
在过去的十年里,领导组建了国内第一条砷化镓太阳电池金属有机物气相外延(MOVPE 生产线,专门从事基于砷化镓的单结与多结电池研究与生产。第六届全国MOCVD 学术会议以后,为历届此会议组织委员会委员。III-V 族化合物半导体整体多结级连太阳电池 2、光伏技术的新突破陈文浚作者近照从1954年第一只光电转换效率达到实际...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上效率-叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。
1.一种III-V族太阳能电池,所述III-V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底(10)、背面电极层(20)、背场层(30)、基极层(40)、发射极层(50)、窗口层(70)和正面电极层(100),其特征在于,所述窗口层(70)的材料包括GaP且不包括Al。 2.根据权利要求1所述的III-V族太阳能电池,其特征在于,所述窗口层(70)为掺...
GaAs半导体材料的主要应用范畴包括:光电器件,高频、高速器件和电路、抗辐照器件、根式器件以及空间能源等。它是理想的光伏材料,可用来制备GaAs多结电池,用作空间太阳能电池和聚光太阳能电池等。 二元III-V族化合物半导体之InP/GaP半导体材料 InP也是一种典型的III-V族化合物半导体材料,它也是直接带隙半导体,在高电场...
表示结 合不同比例的这两种材料所形成的三元或四元化合物的带隙大小。1III-V族材料的特性 III-V族化合物与Si相比的优点 太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关，一般最佳的太阳电池测量的 能隙为1.4～1.5eV之间，所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适 ...
中国的三结砷化镓太阳能电池技术全球第一,美国眼馋想合作 砷化镓是III-V族半导体材料的新型代表,禁带宽度Eg是1.43eV,(理论计算表明,当Eg在1.2~1.6eV范围时,转换效率最高)与太阳光谱匹配,是非常理想的太阳能电池材料。 砷化镓太阳能电池有单结型、双结型和三结型,最大的光电转换效率可以超过50%,而传统的硅太阳能...
III-V族太阳能电池与制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,III-V族太阳能电池与制作方法说明:本申请提供了一种III‑V族太阳能电池与制作方法。该III‑V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬...专利查询请上爱企查