III-V 族化合物半导体整体多结级连太阳电池 2、光伏技术的新突破陈文浚作者近照从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅...
表示结 合不同比例的这两种材料所形成的三元或四元化合物的带隙大小。1III-V族材料的特性 III-V族化合物与Si相比的优点 太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关，一般最佳的太阳电池测量的 能隙为1.4～1.5eV之间，所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适 ...
摘要 本发明涉及一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于:包括菲涅尔透镜组、一体成型的底壳、一体成型的上框和太阳能电池单元。本发明中,上框和底壳均为冲压制成,加工工序降低,便于安装维护,降低了生产成品,而且批次产品一致性高,上框和底壳之间的接缝可焊接或粘接密封,菲尼尔透镜组与上框上端之...
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评论 III- V族化合物半导体整体多结级连太阳电池—光伏技术的新突破(续) ——陈文浚 GaInP2/GaInAs/Ge 三结电池的效率水平从未超过晶格完全匹配,即 In 组分约为 1% 时的最高实践记录[36 ]。事实上,当 In 组分为 12% ,即理论上效率应为最高时,迄今为止实际所达到的三结电池效率要更低得多[ 32 ]。
权利要求1.一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于包括菲涅尔透镜组、一体成型的底壳、一体成型的上框和太阳能电池单元,菲涅尔透镜组安装在上框的上端,上框的下端与底壳的上端固定,底壳的底板上均布嵌装多个太阳能电池单元,该多个太阳能电池单元上扣装一遮光板,所述上框和底壳的外缘整体为一由...
[0005]一种超薄型II1-V族太阳电池聚光光伏组件,包括壳体、上盖、太阳电池和聚光装置,上盖安装在壳体上端开口处,其特征在于:在壳体内安装一基板,该基板上均布安装多个太阳电池,每个太阳电池通过所述基板底面制出的线路层相互连接,每个太阳电池上方均安装一聚光装置,在上盖上设置与该多个聚光装置相对位的透镜组。
评论 IIIIII- - V V 族化合物半导体整体多结级连太 阳电池一光伏技术的新突破 一一陈文浚带电子激发到导带,不能对光生电流产 生贡献,这构成了光电 转换中的电流损失。而能量高于半导体带隙宽度的光子只 能将一个电子激发到导带,把与带隙宽度相当的能量传给光生载流 子,多余的能量则将以声子的形式传给...
评论 III- V 族化合物半导体整体多结级连太阳电池 —光伏技术的新突破 —— 陈文浚 带电子激发到导带, 不能对光生电流产生贡献, 这构成了光电 转换中的电流损失。 而能量高于半导体带隙宽度的光子只能 将一个电子激发到导带, 把与带隙宽度相当的能量传给光生 载流子, 多余的能量则将以声子的形式传给晶格, ...
III-V族材料的特性1III-V族化合物与Si相比的优点 太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关,一般最佳的太阳电池测量的能隙为1.4～1.5eV之间,所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适合用在高效率的太阳电池上, 利用各种Ⅲ-V族化合物所形成的多结太阳电池可增加被吸收波长的范围,更可达到...