该激光器的阈值电流密度为62.5A/cm^2, 输出功率为105mW, 最高工作温度为120℃,工作寿命可达到100158h(约11 year),性能非常好,与商用III-V族激光器相当。 硅基量子点激光器作为单片集成的最后一块拼图,其意义非常重大,有着诱人的应用前景。虽然性能已经达到要求,但其目前的工艺较为复杂,还处于实验室研究阶段。
目前,各种已经上车的激光器应用包括:类似激光投影的激光大灯,可以投出各种光形,甚至流星雨图案;镭射HUD有点像增强實境应用,在驾驶监控应用中,主要相似于人脸识别的技術,以观察驾驶状态,如是否打瞌睡、是否专注于路况;在影音媒体控制方面,宝马车几年前就推出了手势控制和触控滑动控制;另一类应用是激光雷达(LiDAR)和车载...
目前,各种已经上车的激光器应用包括:类似激光投影的激光大灯,可以投出各种光形,甚至流星雨图案;镭射HUD有点像增强實境应用,在驾驶监控应用中,主要相似于人脸识别的技術,以观察驾驶状态,如是否打瞌睡、是否专注于路况;在影音媒体控制方面,宝马车几年前就推出了手势控制和触控滑动控制;另一类应用是激光雷达(LiDAR)和车载...
基于该技术,研究人员在 SOI 晶圆上制造了 III-V 分布式反馈激光器,能与硅层呈共平面配置,实现 III-V 族激光器与硅波导之间的高效耦合。 另外,这种特殊的 III-V 族绝缘层结构,还为激光器提供了良好的光学约束。 据了解,该光泵浦分布式反馈激光器具有约 17.5µJcm -2 的低激光阈值、1.5µm 的稳定单模激...
然而,有证据表明在硅上直接外延III-V族半导体激光器异质结构可以超过异质策略。因此,研究者们近期在InAs/GaAs或InAs/InP量子点激光器(QCL)的外延集成方面做了大量的工作。在中红外光谱范围内,最有效的半导体激光器是基于InAs的量子级联激光器(QCL),基于GaSb的基带间二极管激光器(GaSb-DLS)和基于InAs/GaInSb的带...
然而,有证据表明在硅上直接外延III-V族半导体激光器异质结构可以超过异质策略。因此,研究者们近期在InAs/GaAs或InAs/InP量子点激光器(QCL)的外延集成方面做了大量的工作。在中红外光谱范围内,最有效的半导体激光器是基于InAs的量子级联激光器(QCL),基于Ga...
导读:新加坡科研究人员开发出一款紧凑的异质集成III-V族/硅结构激光器,包括硅III-V族脊波导增益,III-V族/硅光垂直互连通路(VIAs)和硅绝缘体(SOI)纳米光子波导截面。这种紧凑型激光器体积小,可集成在芯片上,可用于各种行业且需求巨大,包括数据通信和存储。
摘要:本发明公开了一种单片集成硅基III‑V族多波长激光器及制备方法,制备方法包括用SOI衬底的顶层硅层制备叉形耦合器和合波器,制备第一二氧化硅层,在第一二氧化硅层和SOI衬底的掩埋氧化层中制备矩形沟槽阵列,在矩形沟槽底部的SOI衬底的衬底硅层中制备V形硅沟槽,在V形硅沟槽和矩形沟槽内外延生长III‑V族亚微米...
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