高质量、低缺陷密度的III-V族材料是实现高性能硅基III-V族器件的关键,通过侧向选区外延独特的缺陷颈缩效应,可以实现在硅上直接生长高质量的III-V族材料,从而产出包括激光器、光电探测器和调制器在内的高性能III-V族有源器件。III-V族晶体与硅共平面的结构使得高度不匹配所带来的耦合损耗得以最小化,从而促进III-...
硅基外延量子点激光器及掺杂调控方面取得重要研究进展 计算机、人工智能等新兴领域。由于硅(Si)材料发光效率低,因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上,并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨 2023-06-26 15:...
从硅基光电子学技术目前的发展来看,以硅材料为基础的微电子器件已经能够处理被动光学功能,但却很难有效地完成主动任务,比如产生光(激光)或检测光(光电探测器)等数据生成和读取时需要用到的关键步骤。 那么,要想在完成主动功能的同时增强器件的性能,就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物,也就是元素周期表中...
高质量、低缺陷密度的III-V族材料是实现高性能硅基III-V族器件的关键,通过侧向选区外延独特的缺陷颈缩效应,可以实现在硅上直接生长高质量的III-V族材料,从而产出包括激光器、光电探测器和调制器在内的高性能III-V族有源器件。III-V族晶体与硅共平面的结构使得高度不匹配所带来的耦合损耗得以最小化,从而促进III-...
从硅基光电子学技术目前的发展来看,以硅材料为基础的微电子器件已经能够处理被动光学功能,但却很难有效地完成主动任务,比如产生光(激光)或检测光(光电探测器)等数据生成和读取时需要用到的关键步骤。 那么,要想在完成主动功能的同时增强器件的性能,就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物,也就是元素周期表中...
高质量、低缺陷密度的III-V族材料是实现高性能硅基III-V族器件的关键,通过侧向选区外延独特的缺陷颈缩效应,可以实现在硅上直接生长高质量的III-V族材料,从而产出包括激光器、光电探测器和调制器在内的高性能III-V族有源器件。III-V族晶体与硅共平面的结构使得高度不匹配所带来的耦合损耗得以最小化,从而促进III...