通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
InP是一种非常重要的III–V族半导体,由于同时具有良好的光学和电学性质,因此在光子与光电子器件应用方面展现出很强的潜在应用。磷化铟(InP)材料的应用主要有以下几个方面: 1、光伏产业方面的应用 2、激光器材料与器件 3、超晶格、量子阱材料与器件 磷化铟(InP)的纳米材料制备方法 ...
InP是一种非常重要的III–V族半导体，由于同时具有良好的光学和电学性质，因此在光子与光电子器件应用方面展现出很强的潜在应用。磷化铟（InP）材料的应用主要有以下几个方面：1、光伏产业方面的应用 2、激光器材料与器件 3、超晶格、量子阱材料与器件 磷化铟（InP）的纳米材料制备方法 磷化铟（InP）纳米材料的制备...
III-V族半导体材料重要成员--磷化铟(InP) 磷化铟,是一种无机化合物,化学式为InP,为银灰色单晶,极微溶于无机酸,主要用作半导体材料,用于光纤通讯技术,具有直接跃迁型能带结构、禁带宽度较宽,光电转换效率较高,电子迁移率高、抗辐射能力较强。 磷化铟的应用...
第七章III-V族化合物半导体的外延生长 7-1气相外延生长 近年来表面工程学发展迅速，新的表面外延层或涂层技术层出不穷，气象沉积就是发展最快的新外延层和涂层技术之一.定义:所谓气象沉积是利用在气象中以物理或化学的反映过程，在工件表面形成具有特殊性能的金属或化合物外延层和涂层的方法.分类:A.物理气象沉积（...
III-V族化合物是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、 锑、铋组成的化合物。通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合 物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导 ...
《III-V族五元系半导体光电子材料的研究》是依托北京大学，由杨澄清担任负责人的面上项目。 项目摘要 五元系Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料是一个崭新研究课题，不同的五元系组份可能对应相同的晶格常数和带隙能量，可望突破四元系材料的限制。我们从热力学相平衡理论出发得到与砷化镓晶格匹配的AlGaInPAs的固液平衡相图，...