通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是174
III-V 族化合物半导体材料生产需要经过多晶合成、单晶生长后再经过切割、磨边、研磨、抛光、清洗等多道工艺后真空封装成品，其中多晶合成、单晶晶体生长是核心工艺。多晶合成：化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，由于自然界中不存在天然的磷化铟、砷化镓多晶，因此首先需要通过人工合...
III-V族化合物半导体材料是由元素周期表中的IIIA族元素(如硼B、铝Al、镓Ga、铟In、铊Tl)和VA族元素(如氮N、磷P、砷As、锑Sb、铋Bi)组成的化合物半导体材料。以下是关于III-V族化合物半导体材料的详细解析如下: 一、基本定义 组成元素:III-V族化合物半导体材料由IIIA族和VA族元素化合而成。 英文名称:Ⅲ-...
iii-v族半导体磷化铟和磷化镓纳米材料的研究进展 磷化铟和磷化镓作为III-V族半导体代表材料，在纳米技术领域展现出独特应用价值。两种材料直接带隙特性使光子吸收与发射效率显著提升，成为光电子器件研发关键方向，近年来相关研究取得系列突破性成果。磷化铟纳米材料主要通过溶剂热法制备，通过调节有机胺类表面活性剂浓度可控...
半导体材料IIIV族化合物半导体的外延生长.ppt,LPE的缺点 1) 当外延层与衬底晶格常数差大于1%时,不能进行很好的生长。 2) 由于分凝系数的不同,除生长很薄外延层外,在生长方向上控制掺杂和多元化合物组分均匀性遇到困难。 3) LPE的外延层表面一般不如气相外延好。 近年来
InP是一种非常重要的III–V族半导体，由于同时具有良好的光学和电学性质，因此在光子与光电子器件应用方面展现出很强的潜在应用。磷化铟（InP）材料的应用主要有以下几个方面：1、光伏产业方面的应用 2、激光器材料与器件 3、超晶格、量子阱材料与器件 磷化铟（InP）的纳米材料制备方法 磷化铟（InP）纳米材料的制备...
锑化铟半导体作为一种重要的III-V族化合物半导体材料,因其优异的光电性质和电子特性在科学研究和工业应用中受到广泛关注。由于锑化铟晶体的带隙宽度介于硅和砷化镓之间,它在红外探测、高速电子器件以及太赫兹技术等领域显示出了巨大的潜力。 锑化铟半导体因其能带调控灵活、宽谱红外光电效应等优势,在红外光电器件领域有广泛...
III-V族半导体材料的基本物理参数 1 M M M M M M M 学 学 学 学 学 学 学 大 大 大 大 大 大 大 国 国 国 国 国 国 国 中 中 中 中 中 中 中 晶体结构以闪锌矿和纤锌矿为主 C C C C C C C O O O O O O O O O O O O O O M M M M M M M • 材料包括GaN, ...
半导体材料课件III-V族化合物半导体的特性 GaAs单晶的生长方法