所谓III-V族化合物半导体,是指元素周期表中的III族与V族元素相结合生成的化合物半导体,主要包括镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等。此类材料具有闪锌矿结构(Zincblende)结构。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴电性,因此有少许离子键成份。正因为如此,III-V族材料置于电场中,晶格容易...
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
在开发新型 III-V半导体材料方面取得了重大进展,提高了效率并降低了生产成本。此外,外延生长技术的进步促进了 III-V 族半导体材料与硅衬底的集成,为结合 III-V 族化合物和硅的优点的混合集成电路铺平了道路。 III-V 族纳米线和量子点在下一代电子和光电器件的发展中也获得了突出地位,这些纳米级结构表现出量子限...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
III-V族半导体是指由第三和第五周期元素组成的化合物半导体材料,如氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等。这些材料具有优异的电学、光学和热学性能,是激光器、光电探测器和发光二极管(LED)等光电器件的基石。此外,III-V族半导体还具有高电子迁移率和高饱和漂移速度等特性,适用于高速电子器件和高功...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
GaAsP(磷砷化镓)LED(III-V族) 可见光GaA妒发光二极管最早于19塑年由美国通用电气公司开发并实际应用,是可见光LED研究的开端。A1225APL84C磷砷化镓(GaAsh△)是由GaAs和GaP组成的合金半导体材料。 随着豸值的变化,GaAP材料具有不同的组成。因此GaAshPx可以作为红色(豸=0.4,655nm),黄色(艿=0.85,590nm)及橙色(豸=...
1、其他III-V族化合物半导体特点和工艺制备651 GaP的合成与晶体生长GaP单晶的生长方法:1.液态密封法在106Pa氩气气氛下,用B2O3液封拉晶。拉制GaP单晶的主要方法。缺点:液态密封法拉制的GaP单晶中有很多浅扁平底圆形坑(S坑),不能直接用来制器件。但是用它做衬底再外延后,外延层中的缺陷密度会减少。所以制作GaP发光...