一、化合物半导体产业由国外厂商主导,国内加速布局 第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓GaAs、磷化铟InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物...
化合物半导体产业在当前主要是指砷化镓(族)外延磊晶片生长和IC芯片集成,氮化镓(族)半导体照明LED和砷化镓(族)光储存LD外延磊晶片生长、芯片制作以及封装、模块的生产运营,同时还包括与之相关的广泛的应用产业。 磊晶、芯片是化合物半导体产品的上游产业,主要是采用MBE和MOCVD技术生长的化合物半导体外延片,和经过制作而...
那么，要想在完成主动功能的同时增强器件的性能，就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物，也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。可问题是，如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。近期，来自香港科技大学的薛莹研究助理教授和该校刘纪美（Kei-May Lau）教授，带领团队设计出一种名为横向...
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...
III-V主族材料被广泛用于红外探测器,特别是窄带隙III-V半导体纳米线(NWs),它们具有高光电转换效率、高载流子迁移率,并适合用于阵列器件的设计。基于In和Ga的二元III-V半导体已被广泛应用于红外光探测,而通过形成异质结或元素掺杂可以进一步提升其性能。图3展示基于...
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
砷化镓:一种重要的III-V族半导体 08月22日 一、砷化镓简介 砷化镓(GaAs)是一种III-V族半导体材料,由镓和砷元素组成,是半导体领域中十分重要的材料之一。它具有优良的电子传输性质和光电性能,是高速电子器件、光通信器件和太阳能电池等领域的理想候选材料之一。 二、砷化镓的特性...
III-V半导体工艺是指使用III族和V族元素(如砷、磷、镓、铟和砷化镓、磷化镓等化合物)制造半导体器件的工艺技术。 III-V半导体材料具有优异的电子特性,包括高电子迁移率、高饱和漂移速度和较小的能隙。因此,III-V半导体器件在高频电子器件、光电子器件以及高功率和高温应用中具有广泛的应用前景。 III-V半导体工艺包括...
市场主导:目前,III-V族化合物半导体产业主要由国外厂商主导,但国内也在加速布局。 市场规模:随着5G、物联网、人工智能等技术的快速发展,III-V族化合物半导体材料的市场需求持续增长。特别是砷化镓和磷化铟等关键材料,在光通信、光电器件等领域的应用不断扩大。
光子集成电路+III-V族半导体,红外探测器前景广阔 VIGO制造的III-V族半导体探测器 据麦姆斯咨询介绍,VIGO Photonics(简称:VIGO)是一家成立于1987年的波兰公司,专门生产中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)探测器和模块。随着传感器技术在大数据驱动的世界中变得越来越重要,光子学也顺势而为。VIGO看到了红外传感器市场快速...