1. III-V族化合物半导体能带结构 III-V族化合物半导体(例如GaAs)是闪锌矿结构,是由两个不同原子组成的面心立方沿对角线方向相互平移1/4套构而成的,与金刚石结构有着相似的结构,所以化合物半导体的能带结构与Si,Ge的能带结构有相似之处,当然也有不同。 III-V族化合物半导体能带结构与Si和Ge的能带相比较,共同...
III-V族化合物半导体材料是由元素周期表中的IIIA族元素(如硼B、铝Al、镓Ga、铟In、铊Tl)和VA族元素(如氮N、磷P、砷As、锑Sb、铋Bi)组成的化合物半导体材料。以下是关于III-V族化合物半导体材料的详细解析如下: 一、基本定义 组成元素:III-V族化合物半导体材料由IIIA族和VA族元素化合而成。 英文名称:Ⅲ-...
一、化合物半导体产业由国外厂商主导,国内加速布局 第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化...
第六章III-V族化合物半导体
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
硅半导体器件所能承受的温度以及功率存在极限,当半导体器件在更为苛刻的条件下应用时,上述极限难以通过调整器件结构来突破,这迫使研究人员将关注的方向转向其他半导体材料上,III-V族化合物半导体即为研究的焦点之一。 这类材料多为直接带隙半导体,具有较高的光电转换效率。而且一般带隙较大,具有良好的耐高温性,并能承...
那么,要想在完成主动功能的同时增强器件的性能,就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物,也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。可问题是,如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。近期,来自香港科技大学的薛莹研究助理教授和该校刘纪美(Kei-May Lau)教授,带领团队设计出一种名为横向...
III-V主族材料被广泛用于红外探测器,特别是窄带隙III-V半导体纳米线(NWs),它们具有高光电转换效率、高载流子迁移率,并适合用于阵列器件的设计。基于In和Ga的二元III-V半导体已被广泛应用于红外光探测,而通过形成异质结或元素掺杂可以进一步提升其性能。图3展示基于...
微源半导体 DIP8 2021+ ¥0.1000元100~2999 个 ¥0.0100元>=3000 个 深圳市天玖隆科技有限公司 5年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 微源LP78073A 输入 3.9V - 6.5V 输出 4.2V 1000mA 静态电流 1uA 电源 管理 芯片 IC LP78073A 200000 微源半导体 ...
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...