通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
III-V族化合物半导体材料是由元素周期表中的IIIA族元素(如硼B、铝Al、镓Ga、铟In、铊Tl)和VA族元素(如氮N、磷P、砷As、锑Sb、铋Bi)组成的化合物半导体材料。以下是关于III-V族化合物半导体材料的详细解析如下: 一、基本定义 组成元素:III-V族化合物半导体材料由IIIA族和VA族元素化合而成。 英文名称:Ⅲ-...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
并且,低温辅助策略也在其它III-V半导体材料(InP和InAs)的刻蚀加工中得到了验证。该研究方法和结果有望为FIB刻蚀化合物半导体材料获得光滑表面提供一种新的思路,助力于纳米光电子与微电子器件的高性能制造。 该项成果以“Cryo-FIB machining of group III-V semiconductors suppresses surface nanodroplets”为题发表在《...
InP是一种非常重要的III–V族半导体，由于同时具有良好的光学和电学性质，因此在光子与光电子器件应用方面展现出很强的潜在应用。磷化铟（InP）材料的应用主要有以下几个方面：1、光伏产业方面的应用 2、激光器材料与器件 3、超晶格、量子阱材料与器件 磷化铟（InP）的纳米材料制备方法 磷化铟（InP）纳米材料的制备...
能多能量。 桑迪亚研究人员 Igal Brener 表示,世界上使用 III-V 半导体材料 作为全电介质超材料的研究很少,而桑迪亚国家实验室在材料的生长 和工艺方面具有一定优势,因此在此领域发展较快。 桑迪亚研究的新电解质材料是一种电绝缘体,能够提供超高效率。 这种材料的入射能量损失很少,甚至可以制造成复杂的三维超原子...
第七章III-V族化合物半导体的外延生长 7-1气相外延生长 近年来表面工程学发展迅速，新的表面外延层或涂层技术层出不穷，气象沉积就是发展最快的新外延层和涂层技术之一.定义:所谓气象沉积是利用在气象中以物理或化学的反映过程，在工件表面形成具有特殊性能的金属或化合物外延层和涂层的方法.分类:A.物理气象沉积（...
《III-V族五元系半导体光电子材料的研究》是依托北京大学，由杨澄清担任负责人的面上项目。 项目摘要 五元系Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体材料是一个崭新研究课题，不同的五元系组份可能对应相同的晶格常数和带隙能量，可望突破四元系材料的限制。我们从热力学相平衡理论出发得到与砷化镓晶格匹配的AlGaInPAs的固液平衡相图，...