通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
第六章III-V族化合物半导体
III-V族化合物半导体材料是由元素周期表中的IIIA族元素(如硼B、铝Al、镓Ga、铟In、铊Tl)和VA族元素(如氮N、磷P、砷As、锑Sb、铋Bi)组成的化合物半导体材料。以下是关于III-V族化合物半导体材料的详细解析如下: 一、基本定义 组成元素:III-V族化合物半导体材料由IIIA族和VA族元素化合而成。 英文名称:Ⅲ-...
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
所谓III-V族化合物半导体,是指元素周期表中的III族与V族元素相结合生成的化合物半导体,主要包括镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等。此类材料具有闪锌矿结构(Zincblende)结构。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴电性,因此有少许离子键成份。正因为如此,III-V族材料置于电场中,晶格容易...
III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物,其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转 换效率高、禁带宽度...
一、化合物半导体产业由国外厂商主导,国内加速布局 第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓GaAs、磷化铟 InP。
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...
在过去几十年的研究当中，我们深知铝、镓和铟与磷和砷的化合物是III-V族化合物半导体的材料，与硅和锗的IV族半导体材料，是微电子器件制造中最重要的材料家族，其中，砷化镓（GaAs）是最常用和最广泛研究的材料。然而，尽管它具有有趣的特性，但它在存储器和微处理器等集成电路领域中尚未能竞争过硅（Si）的传统...