近年来,III-V型半导体纳米线因其一维形态、直接可调的带隙以及独特的光学和电学特性,被认为是高性能光电探测器的候选材料,并得到了广泛的研究。来自澳大利亚国立大学的 Ziyuan Li 博士及其他研究人员在Materials发表了文章,对 III-V 型...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
型号 N型、P型 锑化铟(InSb)是由元素铟(In)和锑(Sb)制成的结晶化合物,具有稳定的物理化学性能和优良的工艺相容性。它是III-V族的窄间隙半导体材料,可提供2”, 3”, 4” 锑化铟单晶片,参数如下:1. 锑化铟单晶片规格参数 2. 锑化铟单晶片特性2.1 物理性质InSb 外观为深灰色银色金属颗粒或具有玻璃光泽的粉末...
III-V族直接带隙半导体:导电型与半绝缘型氮化镓(GaN)衬底 价格 价格面议 发货地 福建厦门 咨询底价 产品服务热门商品 中芯晶研 砷化镓(GaAs)晶体基片 用作外延生长半导体材料 价格面议 砷化铟单晶片InAs 高质量晶体材料 客户满意 价格面议 磷化铟单晶片InP光通信高频器件用 垂直知识完备 制工艺专业 价...
香港科技大学的研究人员最近发明了一种新型集成方案,透过选择性直接外延技术1,在硅光子平台上开发了III-V族化合物半导体器件和硅组件的高效耦合—,释放集成高能效光子和低成本电子的潜能,令下一代通信 可以低成本、更高速和更大容量的方...
具体来说,研究人员通过直接的c-HP/半导体界面,成功地将c-HP半导体与标准III-V发光二极管(LED)结构集成,使其转变为自旋LED。这项工作的重要成果在于,在III-V结构中实现了自旋极化载流子的注入,并通过角动量守恒,通过发射圆偏光的形式检测到了III-V中的自旋积累,为开发新型自旋电子器件奠定了基础。
1.一种提高ITO透明电极与p型III‑V族半导体材料的接触性能的方法,其特征在于,ITO电极的制备过程包括生长工艺和退火工艺,所述退火工艺包括两个阶段:第一阶段为氮气氧气混合气氛退火,第二阶段为纯氮气氛围退火。 2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述氮气氧气混合气氛退火,其氮气和氧气的混合比例为5:1～3:...
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氮化镓基发光二极管(GaN-based Light Emitting Diode)具有光电转换效率高,色彩丰富,全固态,长寿命,小体积等优点,是半导体照明领域的重要器件.虽然近年来发光二极管的... 杨华 - 中国科学院半导体研究所 被引量: 1发表: 2009年 一种含防渗透碳薄膜的高效稳定钙钛矿电池及其制备方法 本发明公开一种含防渗透碳薄膜的...
摘要 本发明涉及一种提高ITO透明电极与p型III‑V族半导体材料的接触性能的方法。该方法中,ITO电极的制备过程包括生长工艺和退火工艺,所述退火工艺包括两个阶段:第一阶段为,第二阶段为纯氮气氛围退火。退火工艺主要有两个目的,第一是形成良好的欧姆接触,使得电极有较低的比接触电阻率,第二是有较好的透光性...