一、化合物半导体产业由国外厂商主导,国内加速布局 第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓GaAs、磷化铟InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物...
III-V族化合物半导体的晶体结构多为闪锌矿结构,III族元素原子与V族元素原子各自分别构成面心立方晶格,这两套面心立方晶格沿体对角线移动四分之一长度套构即得闪锌矿晶体结构。晶体内原子间主要以共价键相互结合,但同时还会形成部分离子键。 闪锌矿晶体结构 由于化合物半导体内两种元素原子的电负性存在差异,所形成的离子...
第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物,其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、...
那么，要想在完成主动功能的同时增强器件的性能，就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物，也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。可问题是，如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。近期，来自香港科技大学的薛莹研究助理教授和该校刘纪美（Kei-May Lau）教授，带领团队设计出一种名为横向...
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...
第六章III-V族化合物半导体
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
1.6III-V族化合物半导体的能带结构1是半导体物理 西安电子科技大学 柴常春等主讲(全部补齐!)的第25集视频,该合集共计104集,视频收藏或关注UP主,及时了解更多相关视频内容。
常用作衬底的III-V族化合物-锑化镓(GaSb)一、锑化镓(GaSb)材料材料概述 锑化镓（Gallium Antimonite, GaSb） 是 III-V 族化合物半导体， 属于闪锌矿、直接带隙材料， 其禁带宽度为 0.725eV（300K） ， 晶格常数为 0.60959nm。二、锑化镓(GaSb)材料材料的性质 结构特性：GaSb的密度是5.6137g/cm3，在900...