第六章III-V族化合物半导体
III-V族化合物半导体(例如GaAs)是闪锌矿结构,是由两个不同原子组成的面心立方沿对角线方向相互平移1/4套构而成的,与金刚石结构有着相似的结构,所以化合物半导体的能带结构与Si,Ge的能带结构有相似之处,当然也有不同。 III-V族化合物半导体能带结构与Si和Ge的能带相比较,共同点有: 1)第一布里渊区都是截角...
III-V族化合物半导体的晶体结构为闪锌矿型,与金刚石相似。由两套面心立方格子沿体对角线移动1/4长度套构而成:一套是III族原子,另一套是V族原子。相互被四个最靠近的原子包围而形成正四面体。 GaAs闪锌矿结构中的价键:V族原子的5个价电子中拿出一个给III族原子,相互作用产生sp3杂化,形成类似金刚石结构的共价键...
一、化合物半导体产业由国外厂商主导,国内加速布局 第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓GaAs、磷化铟 InP。
第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物,其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、...
首先来了解一下III-V族化合物半导体材料 III-V族化合物半导体材料是由元素周期表中的IIIA族元素(如硼B、铝Al、镓Ga、铟In、铊Tl)和VA族元素(如氮N、磷P、砷As、锑Sb、铋Bi)组成的化合物半导体材料。以下是关于III-V族化合物半导体材料的详细解析如下: ...
那么,要想在完成主动功能的同时增强器件的性能,就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物,也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。 可问题是,如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。 近期,来自香港科技大学的薛莹研究助理教授和该校刘纪美(Kei-May Lau)教授,带领团队设计出一种名为横向纵...
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...