所谓III-V族化合物半导体,是指元素周期表中的III族与V族元素相结合生成的化合物半导体,主要包括镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等。此类材料具有闪锌矿结构(Zincblende)结构。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴电性,因此有少许离子键成份。正因为如此,III-V族材料置于电场中,晶格容易...
III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物,其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、导热性好、光电转 换效率高、禁带宽度...
III-V族半导体，是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料，常用的III族元素主要是硼、铝、镓...
III-V族化合物半导体材料是由元素周期表中的IIIA族元素(如硼B、铝Al、镓Ga、铟In、铊Tl)和VA族元素(如氮N、磷P、砷As、锑Sb、铋Bi)组成的化合物半导体材料。以下是关于III-V族化合物半导体材料的详细解析如下: 一、基本定义 组成元素:III-V族化合物半导体材料由IIIA族和VA族元素化合而成。 英文名称:Ⅲ-...
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
第六章III-V族化合物半导体
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
半导体行业中，III-V族化合物半导体占据重要地位，由国际巨头主导，但国内厂商也在逐步加速布局。其中，磷化铟（InP）和砷化镓（GaAs）是关键材料，各自在5G、可穿戴设备、车载通信等领域展现出强劲的增长动力。磷化铟凭借其优良的光学性能，成为5G通信和光通信设备的核心组件，预计市场销量将大幅增长，复合...
1、其他III-V族化合物半导体特点和工艺制备651 GaP的合成与晶体生长GaP单晶的生长方法:1.液态密封法在106Pa氩气气氛下,用B2O3液封拉晶。拉制GaP单晶的主要方法。缺点:液态密封法拉制的GaP单晶中有很多浅扁平底圆形坑(S坑),不能直接用来制器件。但是用它做衬底再外延后,外延层中的缺陷密度会减少。所以制作GaP发光...