第六章III-V族化合物半导体
III-V族化合物半导体的晶体结构为闪锌矿型,与金刚石相似。由两套面心立方格子沿体对角线移动1/4长度套构而成:一套是III族原子,另一套是V族原子。相互被四个最靠近的原子包围而形成正四面体。 GaAs闪锌矿结构中的价键:V族原子的5个价电子中拿出一个给III族原子,相互作用产生sp3杂化,形成类似金刚石结构的共价键...
1. III-V族化合物半导体能带结构 III-V族化合物半导体(例如GaAs)是闪锌矿结构,是由两个不同原子组成的面心立方沿对角线方向相互平移1/4套构而成的,与金刚石结构有着相似的结构,所以化合物半导体的能带结构与Si,Ge的能带结构有相似之处,当然也有不同。 III-V族化合物半导体能带结构与Si和Ge的能带相比较,共同...
所谓III-V族化合物半导体,是指元素周期表中的III族与V族元素相结合生成的化合物半导体,主要包括镓化砷(GaAs)、磷化铟(InP)和氮化镓等。此类材料具有闪锌矿结构(Zincblende)结构。键结方式以共价键为主。由于五价原子比三价原子具有更高的阴电性,因此有少许离子键成份。正因为如此,III-V族材料置于电场中,晶格容易...
市场主导:目前,III-V族化合物半导体产业主要由国外厂商主导,但国内也在加速布局。 市场规模:随着5G、物联网、人工智能等技术的快速发展,III-V族化合物半导体材料的市场需求持续增长。特别是砷化镓和磷化铟等关键材料,在光通信、光电器件等领域的应用不断扩大。
第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟 InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合物,其具有 饱和电子漂移速度高、抗辐射能力强、...
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...
半导体材料课件III-V族化合物半导体的特性 GaAs单晶的生长方法
III-V族二元化合物的晶格常数和禁带宽度等都是一定的,在应用时常受到限制,但由两种III-V族化合物形成的三元或四元化合物,其___,并且可以使用维戈(Vegard)公式及禁带宽度与组分的关系式求得它们。 如果组成多元化合物的两个二元化合物分别为直接跃迁与间接跃迁型时,所组成的多元化合物因组分不同而属于直接跃迁或...
III-V族化合物半导体的外延(wàiyán)生长 共九十三页 7-1气相外延(wàiyán)生长 近年来表面工程学发展迅速，新的表面外延层或涂层技术层出不穷，气象(qìxiàng)沉积就是发展最快的新外延层和涂层技 术之一.定义:所谓气象沉积是利用在气象中以物理或化学的反 映过程，在工件表面形成具有特殊性能的金属或化合物...