通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
1. III-V族化合物半导体能带结构 III-V族化合物半导体(例如GaAs)是闪锌矿结构,是由两个不同原子组成的面心立方沿对角线方向相互平移1/4套构而成的,与金刚石结构有着相似的结构,所以化合物半导体的能带结构与Si,Ge的能带结构有相似之处,当然也有不同。 III-V族化合物半导体能带结构与Si和Ge的能带相比较,共同...
一、化合物半导体产业由国外厂商主导,国内加速布局 第二代半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 III-V族半导体材料:III-V族半导体材料是化学元素周期表中的IIIA族元素硼、 铝、镓、铟、铊和VA族元素氮、磷、砷、锑、铋组成的化合物。代表半导体材料为:砷化镓 GaAs、磷化铟InP。 磷化铟衬底:Indium Phosphide,磷和铟的化合...
那么,要想在完成主动功能的同时增强器件的性能,就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物,也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。可问题是,如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。近期,来自香港科技大学的薛莹研究助理教授和该校刘纪美(Kei-May Lau)教授,带领团队设计出一种名为横向...
市场主导:目前,III-V族化合物半导体产业主要由国外厂商主导,但国内也在加速布局。 市场规模:随着5G、物联网、人工智能等技术的快速发展,III-V族化合物半导体材料的市场需求持续增长。特别是砷化镓和磷化铟等关键材料,在光通信、光电器件等领域的应用不断扩大。
第六章III-V族化合物半导体
通常所说的III-V半导体是由上述IIIA族和VA族元素组成的两元化合物,它们的成分化学比都是1:1。 砷化镉 砷化镉是一种灰黑色的半导体材料,分子式为Cd3As2。它的能隙有0.14eV,与其他半导体相比较窄。 砷化铝 砷化铝(Aluminium arsenide)是一种半导体材料,它的晶格常数跟砷化镓类似。砷化铝的晶系为等轴晶系,熔点是...
III-V族半导体,是以III族元素和V族元素化合形成的化合物半导体材料,由于其电子迁移率高、大尺寸晶体均匀性好、晶格匹配性好等优点,可广泛用于微电子、集成电路、激光通信等领域,拥有极大的发展空间,而今天做客Light人物的嘉宾便是长期从事II...
III-V族半导体的组成 III-V 族半导体是通过元素周期表中第 III 族(如镓、铝和铟)和第 V 族(包括磷、砷和氮)元素的组合而产生的,从而产生晶格结构具有卓越的电子特性。与硅不同,III-V族半导体提供直接带隙特性,从而实现从光子到电子的高效能量转换,这种独特的属性使 III-V 族半导体特别适合光电应用。
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...