该激光器的阈值电流密度为62.5A/cm^2, 输出功率为105mW, 最高工作温度为120℃,工作寿命可达到100158h(约11 year),性能非常好,与商用III-V族激光器相当。 硅基量子点激光器作为单片集成的最后一块拼图,其意义非常重大,有着诱人的应用前景。虽然性能已经达到要求,但其目前的工艺较为复杂,还处于实验室研究阶段。
硅基外延量子点激光器及掺杂调控方面取得重要研究进展 计算机、人工智能等新兴领域。由于硅(Si)材料发光效率低,因此将发光效率高的III-V族半导体材料如砷化镓(GaAs)外延在CMOS兼容Si基衬底上,并外延和制备激光器被公认为最优的片上光源方案。由于Si与GaAs材料间存在大的晶格失配、极性失配和热膨 ...