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与晶体硅(c-Si)太阳能电池相比,III-V太阳能电池由于其优异的耐辐射性和在恶劣环境(包括极端温度)下的良好性能而在空间应用中使用了数十年。 III-V太阳能电池本身是薄膜形式的,通常只有几微米厚,还可以从基板上移除,制成轻便的可弯曲的柔性太阳能电池,该特性在航空航天应用中极具价值,因为电池的重量直接关系总系...
III-V 族化合物半导体整体多结级连太阳电池 2、光伏技术的新突破陈文浚作者近照从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅...
通过湿法蚀刻分离III-V多结太阳能电池-摘要 III-V多结太阳能电池的微制造周期包括几个技术步骤,最后以一个晶圆切割步骤来分离单个电池。这一步引入了作为电荷捕获中心的连接的侧面的损伤,可能导致性能和可靠性问题,随着当今细胞大小缩小的趋势,这些问题变得更加重要。在
导读:美国国家可再生能源实验室的科学家们通过将砷化镓薄膜堆叠在带有玻璃夹层的互插式背接触硅太阳能电池上,模拟出一种III-V太阳能电池。科学家们已经完成了一些初步的微型模块集成工作,但要达到商业化,终究还需要大幅扩大尺寸。该电池目前的有效面积为1平方厘米。 美国能源部国家可再生能源实验室(NREL)的一组研究...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上效率-叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。
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