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III-V太阳能电池本身是薄膜形式的,通常只有几微米厚,还可以从基板上移除,制成轻便的可弯曲的柔性太阳能电池,该特性在航空航天应用中极具价值,因为电池的重量直接关系总系统的重量也就是成本,而能将电池贴合到非平面上也是至关重要的。此外,III-V太阳能电池的低温度系数和良好的低光性能可以实现不同位置条件下比c-...
美国能源部国家可再生能源实验室(NREL)的一组研究人员通过将砷化镓(GaAs)薄膜堆叠在带有玻璃夹层的背隙接触(IBC)硅太阳能电池上,模拟了一种四端串联的III-V太阳能电池。 该项目的主要研究人员Adele Tamboli表示:“虽然我们已经做了一些初步的微型模块集成工作,但要实现商业化,最终还需要大幅扩大尺寸,这些电池在解决了...
然而,由于构建多结太阳能电池结构的不同III-V层的不同蚀刻选择性增加了这一过程的复杂性,因此MJSC的一步湿蚀刻尚未见报道。 本文介绍了一种基于溴的湿式蚀刻分离技术。首先,我们发现溴-甲醇溶液会导致介电掩模下的IIIV结构中出现不必要的孔,并延伸到pn连接,从而降低了太阳能电池的性能。在第二步中,我们提出了...
然而,在太阳能电池结构的III-V层中可以看到空洞。因此,很可能太阳能电池晶片III-V层上的孔隙是由于蚀刻通过孔隙或二氧化硅层上的微小孔纹在显微镜下看不到的。 二氧化硅掩膜层厚度对孔隙形成的影响。 略 介质掩模中的应力对孔形成的影响。 略 通过利用应力补偿介质掩模使通掩模扩散最小化:根据以上结果,在溴-甲醇...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上效率-叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。
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表示结 合不同比例的这两种材料所形成的三元或四元化合物的带隙大小。1III-V族材料的特性 III-V族化合物与Si相比的优点 太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关，一般最佳的太阳电池测量的 能隙为1.4～1.5eV之间，所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适 ...
1.一种III-V族太阳能电池,所述III-V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底(10)、背面电极层(20)、背场层(30)、基极层(40)、发射极层(50)、窗口层(70)和正面电极层(100),其特征在于,所述窗口层(70)的材料包括GaP且不包括Al。 2.根据权利要求1所述的III-V族太阳能电池,其特征在于,所述窗口层(70)为掺...