2018年11月,该实验室发布了III-V太阳能电池在屋顶或地面大规模安装使用的潜力研究报告,并绘制了以低于0.50美元/ WDC为目标的降成本路线图(仅包括太阳能电池本身的成本,不包括任何包装、连接和覆盖玻璃的成本)。报告要点如下: 1. III-V族太阳能电池技术和市场应用情况概述 III-V族材料是一类由元素周期表第III族和...
权利要求1.一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于包括菲涅尔透镜组、一体成型的底壳、一体成型的上框和太阳能电池单元,菲涅尔透镜组安装在上框的上端,上框的下端与底壳的上端固定,底壳的底板上均布嵌装多个太阳能电池单元,该多个太阳能电池单元上扣装一遮光板,所述上框和底壳的外缘整体为一由...
采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上的效率,但这些材料价格昂贵且难以加工。 叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。 到目前为止,研究这种叠层设备的团队一直在尝试改变钙钛矿的化学成分,制造更...
砷化镓是III-V族半导体材料的新型代表,禁带宽度Eg是1.43eV,(理论计算表明,当Eg在1.2~1.6eV范围时,转换效率最高)与太阳光谱匹配,是非常理想的太阳能电池材料。 砷化镓太阳能电池有单结型、双结型和三结型,最大的光电转换效率可以超过50%,而传统的硅太阳能电池只有可怜的23%,在可见光范围内,同等厚度的硅太阳能材...
摘要 本发明涉及一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于:包括菲涅尔透镜组、一体成型的底壳、一体成型的上框和太阳能电池单元。本发明中,上框和底壳均为冲压制成,加工工序降低,便于安装维护,降低了生产成品,而且批次产品一致性高,上框和底壳之间的接缝可焊接或粘接密封,菲尼尔透镜组与上框上端之...
1.一种III-V族太阳能电池,所述III-V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底(10)、背面电极层(20)、背场层(30)、基极层(40)、发射极层(50)、窗口层(70)和正面电极层(100),其特征在于,所述窗口层(70)的材料包括GaP且不包括Al。 2.根据权利要求1所述的III-V族太阳能电池,其特征在于,所述窗口层(70)为掺...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布,公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化?(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池量产方面获得突破。 去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作,以NREL的电池设计知识产权为基础,开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。
开发更快、更节能的电子系统。此外,III-V 族半导体是激光器、光电探测器和发光二极管 (LED) 等光电器件的基石,从而促进了电信、数据通信和固态照明领域的进步。 此外,III-V 族半导体在光伏领域至关重要,有助于创建高效太阳能电池,有效地将阳光转化为电能。III-V 族半导体的带隙特性有利于有效的光子吸收,从而使 ...
摘要:美国复合半导体制造商RFMicroDevices(RFMD)宣布,公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池量产方面获得突破。 去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作,以NREL的电池设计知识产权为基础,开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD...