金融界2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司申请一项名为“用于在III-V族多结太阳能电池中制造沟槽的方法”的专利，公开号 CN 119141000 A，申请日期为2024年6月。专利摘要显示，一种用于在III‑V族多结太阳能电池中制造沟槽状结构的方法，所述III‑V族多结太阳能电池...
金融界2024年12月20日消息,国家知识产权局信息显示,阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司申请一项名为“用于在III-V族多结太阳能电池中制造沟槽的方法”的专利,公开号 CN 119141000 A,申请日期为2024年6月。 专利摘要显示,一种用于在III‑V族多结太阳能电池中制造沟槽状结构的方法,所述III‑V族多结太阳能电池具有...
2018年11月,该实验室发布了III-V太阳能电池在屋顶或地面大规模安装使用的潜力研究报告,并绘制了以低于0.50美元/ WDC为目标的降成本路线图(仅包括太阳能电池本身的成本,不包括任何包装、连接和覆盖玻璃的成本)。报告要点如下: 1. III-V族太阳能电池技术和市场应用情况概述 III-V族材料是一类由元素周期表第III族和...
本公开的原理提供了多结III-V太阳能电池结构和用于制造包括III-V和硅吸收体二者的多结太阳能电池结构的技术。 根据示例性实施例的太阳能电池结构包括具有1.8-2.1eV之间的带隙的顶部光伏电池,该顶部光伏电池包括第一基极层和邻接该第一基极层的第一发射极层,该第一基极层和第一发射极层中每一个都由III-V半导体材...
采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上效率-叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。
美国复合半导体制造商RF Micro Devices (RFMD) 宣布,公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化?(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池量产方面获得突破。 去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作,以NREL的电池设计知识产权为基础,开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。
摘要:美国复合半导体制造商RFMicroDevices(RFMD)宣布,公司通过使用标准半导体晶片设备成功制造出太阳能电池,标志着6英寸砷化鎵(GaAs)基片上的III-V族多结光伏电池量产方面获得突破。 去年RFMD开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作,以NREL的电池设计知识产权为基础,开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程。RFMD...
太阳能电池领域-多结砷化镓锗电池效率优异,我国星链计划有望为太阳能锗需求带来快速增长 砷化镓是典型的 III-V 族半导体、直接带隙材料。其带隙接近太阳能谱峰值,且光吸收系数高,成为良好的化合物空间太阳电池制备材料。 最初砷化镓电池为同质结,但由于砷化镓同质结材料的机械强度较低、易碎,密度大、重量大,难以实...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导...