然而,在太阳能电池结构的III-V层中可以看到空洞。因此,很可能太阳能电池晶片III-V层上的孔隙是由于蚀刻通过孔隙或二氧化硅层上的微小孔纹在显微镜下看不到的。 二氧化硅掩膜层厚度对孔隙形成的影响。 略 介质掩模中的应力对孔形成的影响。 略 通过利用应力补偿介质掩模使通掩模扩散最小化:根据以上结果,在溴-甲醇蚀...
然而,由于构建多结太阳能电池结构的不同III-V层的不同蚀刻选择性增加了这一过程的复杂性,因此MJSC的一步湿蚀刻尚未见报道。 本文介绍了一种基于溴的湿式蚀刻分离技术。首先,我们发现溴-甲醇溶液会导致介电掩模下的IIIV结构中出现不必要的孔,并延伸到pn连接,从而降低了太阳能电池的性能。在第二步中,我们提出了...
摘要 本发明涉及一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于:包括菲涅尔透镜组、一体成型的底壳、一体成型的上框和太阳能电池单元。本发明中,上框和底壳均为冲压制成,加工工序降低,便于安装维护,降低了生产成品,而且批次产品一致性高,上框和底壳之间的接缝可焊接或粘接密封,菲尼尔透镜组与上框...
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太阳能电池领域-多结砷化镓锗电池效率优异,我国星链计划有望为太阳能锗需求带来快速增长 砷化镓是典型的 III-V 族半导体、直接带隙材料。其带隙接近太阳能谱峰值,且光吸收系数高,成为良好的化合物空间太阳电池制备材料。 最初砷化镓电池为同质结,但由于砷化镓同质结材料的机械强度较低、易碎,密度大、重量大,难以实...
4.根据权利要求1所述的一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于所述底壳两对称的侧边下端分别安装两个连接板。 5.根据权利要求1或2或3或4任意一项所述的一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于所述遮光板与所述底壳底板连接且其外缘由上至下为一逐渐扩大的四棱台,该四棱...
III-V多结太阳能电池的微制造周期包括几个技术步骤,最后以一个晶圆切割步骤来分离单个电池。这一步引入了作为电荷捕获中心的连接的侧面的损伤,可能导致性能和可靠性问题,随着当今细胞大小缩小的趋势,这些问题变得更加重要。在本文中,我们提出了一种湿式微沟蚀刻工艺,允许单个太阳能电池的电隔离而不损害侧壁。用溴-甲...
一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件专利信息由爱企查专利频道提供,一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件说明:本实用新型涉及一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于:包括菲涅尔透镜组、...专利查询请上爱企查