2018年11月,该实验室发布了III-V太阳能电池在屋顶或地面大规模安装使用的潜力研究报告,并绘制了以低于0.50美元/ WDC为目标的降成本路线图(仅包括太阳能电池本身的成本,不包括任何包装、连接和覆盖玻璃的成本)。报告要点如下: 1. III-V族太阳能电池技术和市场应用情况概述 III-V族材料是一类由元素周期表第III族和...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
硅太阳能电池的理论效率极限为32%,目前最好的电池的效率不到27%。采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上的效率,但这些材料价格昂贵且难以加工。 叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。 到目前...
4III-V族太阳能电池研究热点 5III-V族太阳能电池设计考虑因素 1 III-V族材料的特性 1III-V族材料的特性 III-V族化合物包括磷化铝(AlP)砷化铝(AlAs)锑化铝(AlSb)磷化镓(GaP)砷化镓(GaAs)锑化镓(GaSb)氮化铟(InN)砷化铟(InAs)等化合物及化合物组合(固溶体化合物)1III-V族材料的特性 硅为间接带隙...
1.一种III-V族太阳能电池,所述III-V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底(10)、背面电极层(20)、背场层(30)、基极层(40)、发射极层(50)、窗口层(70)和正面电极层(100),其特征在于,所述窗口层(70)的材料包括GaP且不包括Al。 2.根据权利要求1所述的III-V族太阳能电池,其特征在于,所述窗口层(70)为掺...
开发更快、更节能的电子系统。此外,III-V 族半导体是激光器、光电探测器和发光二极管 (LED) 等光电器件的基石,从而促进了电信、数据通信和固态照明领域的进步。 此外,III-V 族半导体在光伏领域至关重要,有助于创建高效太阳能电池,有效地将阳光转化为电能。III-V 族半导体的带隙特性有利于有效的光子吸收,从而使 ...
砷化镓是III-V族半导体材料的新型代表,禁带宽度Eg是1.43eV,(理论计算表明,当Eg在1.2~1.6eV范围时,转换效率最高)与太阳光谱匹配,是非常理想的太阳能电池材料。 砷化镓太阳能电池有单结型、双结型和三结型,最大的光电转换效率可以超过50%,而传统的硅太阳能电池只有可怜的23%,在可见光范围内,同等厚度的硅太阳能材...
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种iii-v族太阳能电池,该iii-v族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底、背面电极层、背场层、基极层、发射极层、窗口层和正面电极层,其中,上述窗口层的材料包括gap且不包括al。 进一步地,上述窗口层为掺杂mg的gap层。
III-V族太阳能电池与制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,III-V族太阳能电池与制作方法说明:本申请提供了一种III‑V族太阳能电池与制作方法。该III‑V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬...专利查询请上爱企查
III-V族材料的特性1III-V族化合物与Si相比的优点 太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关,一般最佳的太阳电池测量的能隙为1.4～1.5eV之间,所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适合用在高效率的太阳电池上, 利用各种Ⅲ-V族化合物所形成的多结太阳电池可增加被吸收波长的范围,更可达到...