2018年11月,该实验室发布了III-V太阳能电池在屋顶或地面大规模安装使用的潜力研究报告,并绘制了以低于0.50美元/ WDC为目标的降成本路线图(仅包括太阳能电池本身的成本,不包括任何包装、连接和覆盖玻璃的成本)。报告要点如下: 1. III-V族太阳能电池技术和市场应用情况概述 III-V族材料是一类由元素周期表第III族和...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
4III-V族太阳能电池研究热点 5III-V族太阳能电池设计考虑因素 1 III-V族材料的特性 1III-V族材料的特性 III-V族化合物包括磷化铝(AlP)砷化铝(AlAs)锑化铝(AlSb)磷化镓(GaP)砷化镓(GaAs)锑化镓(GaSb)氮化铟(InN)砷化铟(InAs)等化合物及化合物组合(固溶体化合物)1III-V族材料的特性 硅为间接带隙...
硅太阳能电池的理论效率极限为32%,目前最好的电池的效率不到27%。采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上的效率,但这些材料价格昂贵且难以加工。 叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。 到目前...
开发更快、更节能的电子系统。此外,III-V 族半导体是激光器、光电探测器和发光二极管 (LED) 等光电器件的基石,从而促进了电信、数据通信和固态照明领域的进步。 此外,III-V 族半导体在光伏领域至关重要,有助于创建高效太阳能电池,有效地将阳光转化为电能。III-V 族半导体的带隙特性有利于有效的光子吸收,从而使 ...
为了实现上述目的,根据本申请的一个方面,提供了一种iii-v族太阳能电池,该iii-v族太阳能电池包括依次叠置设置的衬底、背面电极层、背场层、基极层、发射极层、窗口层和正面电极层,其中,上述窗口层的材料包括gap且不包括al。 进一步地,上述窗口层为掺杂mg的gap层。
III-V族太阳能电池与制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,III-V族太阳能电池与制作方法说明:本申请提供了一种III‑V族太阳能电池与制作方法。该III‑V族太阳能电池包括依次叠置设置的衬...专利查询请上爱企查
III-V族材料的特性1III-V族化合物与Si相比的优点 太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关,一般最佳的太阳电池测量的能隙为1.4～1.5eV之间,所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适合用在高效率的太阳电池上, 利用各种Ⅲ-V族化合物所形成的多结太阳电池可增加被吸收波长的范围,更可达到...
权利要求1.一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于包括菲涅尔透镜组、一体成型的底壳、一体成型的上框和太阳能电池单元,菲涅尔透镜组安装在上框的上端,上框的下端与底壳的上端固定,底壳的底板上均布嵌装多个太阳能电池单元,该多个太阳能电池单元上扣装一遮光板,所述上框和底壳的外缘整体为一由...
1)量子阱半导体太阳能电池已成为研制高效率III-V族复合物半导体太阳能电池的有效途径之一;2)量子阱半导体太阳能电池的最大优势之一还体现在它可以被用作为一种手段,即取代组成迭层电池的两个同质结电池之中的一个(通常是取代具有较窄带隙的同质结电池),利用量子限制效应调整其等效带隙宽度,使得组成迭层电池的两...