III-V 族化合物半导体整体多结级连太阳电池 2、光伏技术的新突破陈文浚作者近照从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅...
表示结 合不同比例的这两种材料所形成的三元或四元化合物的带隙大小。1III-V族材料的特性 III-V族化合物与Si相比的优点 太阳电池的理论转换效率与半导体的能隙大小有关，一般最佳的太阳电池测量的 能隙为1.4～1.5eV之间，所以能隙为1.43eV的GaAs及1.35eV的InP会比1.1eV的硅更适 ...
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导...
本实用新型涉及一种使用III-V族多结太阳能电池的聚光光伏组件,其特征在于:包括菲涅尔透镜组、一体成型的底壳、一体成型的上框和太阳能电池单元。本实用新型中,上框和底壳均为冲压制成,加工工序降低,便于安装维护,降低了生产成品,而且批次产品一致性高,上框和底壳之
评论 IIIIII- - V V 族化合物半导体整体多结级连太 阳电池一光伏技术的新突破 一一陈文浚带电子激发到导带,不能对光生电流产 生贡献,这构成了光电 转换中的电流损失。而能量高于半导体带隙宽度的光子只 能将一个电子激发到导带,把与带隙宽度相当的能量传给光生载流 子,多余的能量则将以声子的形式传给...