采用III-V族半导体制成的太阳能电池能够实现30%以上的效率,但这些材料价格昂贵且难以加工。 叠层电池在硅上涂有易于制造的光伏钙钛矿,是一种效率可超过40%的方法,至少在理论上是这样。这种电池能够以低成本生产,不需要完全不同的制造设施。 到目前为止,研究这种叠层设备的团队一直在尝试改变钙钛矿的化学成分,制造更...
04 进一步满足车载应用要求 三安集成现在提供的激光雷达用半导体激光器有905nm、940nm隧道结(TJ)VCSEL,还有905nm边发射(TJ EEL)和1550nm窄线宽DFB。三安集成还可以提供波长980nm的VCSEL,速度为10G NRZ至56G PAM4,工作温度-40℃至125℃,RMS光谱宽度为0.7nm的汽车用半导体激光器,进一步满足车载应用要求。 THE END ...
电学上互连的复杂程度使机械级连叠层电池很难真正投入大规模的生产与应用。机械级连电池的各级子电池一般都要使用各自的衬底,这也大大增加了制造成本。半导体材料外延生长技术,特别是III-V族化合物半 8、导体的金属有机物气相外延(MOVPE技术的成熟发展使得制备整体集成式多结级连太阳电池成为可能。由图3所示的模拟...
III-V族半导体，是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料，常用的III族元素主要是硼、铝、镓...
GaAs半导体材料的主要应用范畴包括:光电器件,高频、高速器件和电路、抗辐照器件、根式器件以及空间能源等。它是理想的光伏材料,可用来制备GaAs多结电池,用作空间太阳能电池和聚光太阳能电池等。 二元III-V族化合物半导体之InP/GaP半导体材料 InP也是一种典型的III-V族化合物半导体材料,它也是直接带隙半导体,在高电场...
III-V族化合物半导体太阳能电池_2023年学习资料
光子集成电路+III-V族半导体,红外探测器前景广阔 VIGO制造的III-V族半导体探测器 据麦姆斯咨询介绍,VIGO Photonics(简称:VIGO)是一家成立于1987年的波兰公司,专门生产中波红外(MWIR)和长波红外(LWIR)探测器和模块。随着传感器技术在大数据驱动的世界中变得越来越重要,光子学也顺势而为。VIGO看到了红外传感器市场快速...
那么，要想在完成主动功能的同时增强器件的性能，就必须在硅基底上集成 III-V 族半导体化合物，也就是元素周期表中 III 族和 V 族的材料。可问题是，如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。近期，来自香港科技大学的薛莹研究助理教授和该校刘纪美（Kei-May Lau）教授，带领团队设计出一种名为横向...
III-V族半导体,是以III族元素与V族元素化合形成的化合物半导体材料,常用的III族元素主要是硼、铝、镓、铟,常用的V族元素主要是氮、磷、砷、锑。III-V族半导体既包括第三代半导体材料,例如GaN,也包括第四代半导体材料,以GaSb、InAs为代表。从带隙来看,第四代半导体材料主要有两大发展方向,一是窄带隙半导体,二...
可问题是,如今 III-V 族半导体化合物还无法与硅实现良好的配合。 近期,来自香港科技大学的研究助理教授和该校(Kei-May Lau)教授,带领团队设计出一种名为横向纵横比捕获(lateral aspect ratio trapping,LART)的方法。 图丨(来源:资料图) 据介绍,其作为一种选择性直接外延生长的技术,能够在不需要厚缓冲层的条件...