稍微补充一下为什么dielectric etch要用 CCP.SIO2, Si3N4的化学键能高，需要更高的能量来打破化学键。P...
因此,SiO2刻蚀以物理刻蚀为主,化学刻蚀为辅,通常采用碳氟气体,如CF4、CHF3、C4F8等,并加入一定量的惰性气体。一般来说,碳原子数与氟原子数的比越高,就能形成越多的聚合物和越高的刻蚀选择比,有利于深孔刻蚀,故本实验碳氟气体选用C4F8。惰性气体中He、Ar 为半导体工艺常用气体,且成本较其他惰性气体有优势。而相比...
关键词:ICP、刻蚀、参数、模型、等离子体Process technology of semiconductor etchin ICPLIU Zhi Wei(Xia n Electro nic and Scie nee Un iversity, School of Microelectro nics.1411122908)Abstract : ICP tech no logy is one of the com mon ly used in micro nano process ing tech no logy, This ...
CCP 主要用于SiO2, Si3N4 和ACL等蚀刻。ICP 主要用于 poly Si, TiN, W 等。
通过在钝化和刻蚀之5 图2常温下硅高刻蚀比刻蚀结果SEM图 基片尺寸:100mm,纵横刻蚀比:901,掩模:SiO2,刻速:1.6m/min,刻蚀不均匀性:<+/- 17、5%,Si掩模选择比>2001 间加入一个去钝化(depassivation)的步骤,或通过控制聚合物薄层的厚度,合理调节其它刻蚀参数,不仅可以刻蚀出各向异性的端面,而且可以使得端面倾角...
ICP刻蚀原理：气体、功率的选择--ICP操作流程
ICP刻蚀原理：气体、功率的选择--ICP操作流程
ICP刻蚀原理：气体、功率的选择--ICP操作流程
Aspect Ratio Dependent Etch Rate ARDE effect Microscopic loading effect (2)图形保真度 设横向刻蚀速率为 V1,纵向刻蚀速率为 V2,通常用 A 表示刻蚀的各向异性刻蚀的程度,定 义如下:时,A=1,表示图形转移中没有失真,刻蚀具有很好的各向异性。 时,A=0,图形失真情况严重,刻蚀为各向同性。 (3)均匀性 在材料...
ICP刻蚀原理：气体、功率的选择--ICP操作流程