1.离子束刻蚀(IBE)技术的原理? 离子束刻蚀(IBE,Ion Beam Etching)也称为离子铣(IBM,Ion Beam Milling),也有人称之为离子溅射刻蚀,是利用辉光放电原理将氩气分解为氩离子,氩离子经过阳极电场的加速对样品表面进行物理轰击,以达到刻蚀的作用。刻蚀过程即把Ar气充入离子源放电室并使其电离形成等离子体,然后由栅极将...
Synonyms DRIE (Deep reactive ion etching) ; Advanced silicon etching (ASE™) ; Bosch process ; Switching etching ; Multiplexed time etchingSynonymsDRIE (Deep reactive ion etching) ; Advanced silicon etching (ASE™) ; Bosch process ; Switching etching ; Multiplexed time etchingDRIE (Deep ...
ICP刻蚀(Inductively Coupled Plasma Etching)是一种高精度、高选择性的刻蚀技术,广泛应用于半导体器件制造和微纳加工领域。ICP刻蚀利用高频电场和等离子体来去除材料表面的部分,以实现微纳米级的图案定义和加工。本文将介绍ICP刻蚀的原理及其在微纳加工中的应用。 ICP刻蚀的原理。 ICP刻蚀利用高频电场和等离子体来去除材...
ICP刻蚀原理。 ICP刻蚀(Inductively Coupled Plasma Etching)是一种常用的微纳加工技术,广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。ICP刻蚀利用高能离子束对材料表面进行加工,具有高精度、高选择性和高速度的特点。本文将介绍ICP刻蚀的原理及其在微纳加工中的应用。 ICP刻蚀利用电磁场产生的等离子体对材料表面进行加工。
干法刻蚀（Dry Etching）技术，尤其是等离子体增强化学气相沉积（ICP, Inductively Coupled Plasma）设备，...
6、etching, parameter, model, plasma1引言 刻蚀是微细加工技术的一个重要组成部分,微电子学的快速发展推动其不断向前。从总体上来说,刻蚀技术可分为干法刻蚀和湿法刻蚀两种,初期的刻蚀以湿法刻蚀为主,但随着器件制作进入微米、亚微米时代,湿法刻蚀难以满足越来越高的精度要求。干法刻蚀技术得以很大进展。干法刻蚀一般...
和CCP(电容)Reaction chamber structures and main technical parameters of eight main plasma etching ...
ICP刻蚀(Inductively Coupled Plasma Etching)是一种常用的微纳加工技术,广泛应用于半导体、光电子、生物医学等领域。ICP刻蚀利用高频电场激发等离子体,通过化学反应和物理碰撞去除材料表面,从而实现微米甚至纳米级的加工精度。本文将介绍ICP刻蚀的原理及其关键步骤。 ICP刻蚀的原理主要包括等离子体产生、离子轰击和物理/化学...
ICP刻蚀工艺(Inductively Coupled Plasma Etching)是一种常用的微米纳米尺度的材料刻蚀工艺,广泛应用于半导体器件制造和微纳加工领域。ICP刻蚀工艺利用高频等离子体激励下的等离子体反应来去除材料表面的部分或全部物质,从而在材料上形成所需的图形或结构。本文将介绍ICP刻蚀工艺的原理、设备和工艺参数的选择。 首先,ICP刻蚀...
4.IBE(Ion Beam Etching),也称离子束蚀刻 在这个过程中,一个集中的离子束直接打在待蚀刻的材料表面,离子与材料表面的物理撞击使得表面的原子或分子被剥离,从而实现刻蚀。 干法刻蚀是一种重要的微纳米加工技术,具有精度高、可控性强、适用材料广泛等优点,对现代科技和工业产生深远影响。工艺难度不小,需要工程师的仔细...