型号 CENTURA HDP 加工定制 否 新旧程度 二手 是否现货 是 库存数量 99 晶圆尺寸 8英寸 年份 1995 设备类型 HDP-CVD 打包封装 完成 产品名称 二手刻蚀机 产品类型 刻蚀机 可售卖地 全国 发货地 青岛 品牌 AMAT 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变...
HDP-CVD，即高密度等离子体化学气相沉积，是PECVD技术的一种特殊变体。它能够在较低的沉积温度下，实现比传统PECVD设备更高的等离子体密度和质量。此外，HDP-CVD还提供了近乎独立的离子通量和能量控制，从而增强了沟槽或孔的填充能力。这使得它成为高要求薄膜沉积应用，例如抗反射涂层和低介电常数材料沉积等的理想选择。
HDP-CVD是一种重要的薄膜生长技术,通过利用高密度等离子体环境中的化学反应,实现在衬底上沉积薄膜。它在半导体制造工艺中发挥着重要的作用,用于生长绝缘层和金属薄膜,以满足不同器件的要求。该技术的工作原理清晰明了,通过控制气体流量、反应室压力和衬底温度等参数,可以实现对薄膜成分和性质的精确控制。随着半导体工艺的...
用射频(RF)源激发混合气体产生离子源,通过高密度等离子体并直接使高密度等离子体到达硅片表面。(HDPCVD可以填充深宽比为4:1甚至更高的间隙,半导体里普遍采用沉积刻蚀比(DS ratio)作为衡量HDP-CVD工艺填孔能力的指标) 工艺难点在哪? 在整个沉积过程中,始终保持孔的顶部开放,以使反应物能进入孔从底部开始填充,也就...
在HDP CVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉积(PE CVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隙,用单步PE CVD 工艺填充具有高的深宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在其中部产生夹断(pinch-off)和空洞(图2)。
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The Applied Centura Ultima HDP CVD 200mm and 300mm systems deliver a high-densityplasmaCVDprocess. It has been the industry-leading workhorse delivering high-qualitydielectricfilms and void-free gapfill. Its reactor enables customers to achieve the productivity, cost-efficiency, and extendibility nee...
应用材料公司的 Centura Ultima X HDP‑CVD(高密度等离子化学气相沉积)腔室生产能力高,便于维护保养。...
一、ICP由预真空室、刻蚀腔体、供气系统、真空系统组成。刻蚀腔体又包括上电极、ICP射频、RF射频、下电极...