较高的工艺温度:通常需要较高的工艺温度来激活化学反应,这限制了其在一些对温度敏感的材料和工艺中的应用,可能会对衬底材料或已完成的工艺步骤产生热影响。 沉积速率有限:沉积速率相对 HDPCVD 来说较低,在一定程度上会影响生产效率,特别是对于需要快速沉积大量薄膜的应用场景,可能不太适用。 均匀性控制挑战:虽然在大...
半导体HDPCVD工艺是一种重要的芯片制造工艺,自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂广泛采用。该工艺以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点,迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。HDPCVD工艺在超大...
在HDPCVD反响腔中,主要是由电感耦合等离子体反响器(ICP)来产生并维持高密度的等离子体。当射频电流通过线圈 (coil)时会产生一个交流磁场,这个交流磁场经由感应耦合即产生随时间变化的电场,如图6所示。电感耦合型电场能加速电子并且能形成离子化碰撞。由于感应电场的方向是盘旋型的 ,因此电子也就往盘旋方向加速,使得...
本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的 电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD艺的典型应用。 等离子体化学气相淀积制造工艺高密度超大规模集成电路...
1.本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种hdpcvd工艺设备的处理方法。 背景技术: 2.在超大规模集成电路制造领域,高密度等离子体化学气相沉积工艺(hdpcvd,high density plasma cvd)由于能够填充更小关键尺寸、更大深宽比(ar,aspect ratio)的沟槽,因此,被广泛应用于sti、pmd、imd等的填充。
3.HDPCVD 全称:High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition 含义:高密度等离子体化学气相沉积工艺,用于沉积薄膜(如SiO₂或SiN)。此工艺结合高能量等离子体和化学反应沉积薄膜,具有低应力、高密度的特性。 优势: 沉积速率快,均匀性好。 适用于深沟槽结构(如隔离层填充)。
___优点:反应温度低: 300℃-400℃;薄膜填充高深宽比间隙能力强;淀积限制的条件:1、质量传输限制淀积速率HDPCVD工艺的基本步骤:离
低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
1.一种HDPCVD工艺设备的处理方法,其特征在于,包括: 提供反应腔,所述反应腔内具有用于加载射频的陶瓷圆盘; 对所述反应腔和陶瓷圆盘进行清洗处理; 在所述清洗处理后,在所述反应腔的内壁面表面和所述陶瓷圆盘的表面形成第一介电膜; 在所述第一介电膜表面形成第二介电膜,所述第二介电膜的密度大于所述第一介电...
一、 HDPCVD工艺在芯片制造中的应用 半导体HDPCVD工艺是一种重要的芯片制造工艺,自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂广泛采用。该工艺以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点,迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。HDPCVD工艺在超大规模集成电路制造中发挥着重要作用,特别是在绝缘介质在各个薄膜...