半导体HDPCVD工艺是一种重要的芯片制造工艺,自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂广泛采用。该工艺以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的电学特性等诸多优点,迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。HDPCVD工艺在超大规模集成电路制造中发挥着重要作用,特别是在绝缘介质在各个薄膜层之间均匀无孔的填充方面。这种填充...
本文所介绍的高密度等离子体化学气相淀积(HDPCVD工艺自20世纪90年代中期开始被先进的芯片工厂采用以来,以其卓越的填孔能力、稳定的淀积质量、可靠的 电学特性等诸多优点而迅速成为0.25微米以下先进工艺的主流。图1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD艺的典型应用。 等离子体化学气相淀积制造工艺高密度超大规模集成电路...
1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 在HDPCVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的 填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隙,用单步PECVD工艺填充具有高的深 宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在...
含义:指超低介电常数(k值)材料的化学沉积工艺。这些材料用于降低芯片的寄生电容,从而提升信号传输速度并减少功耗。 关键技术:常采用 PECVD(等离子体增强化学气相沉积)或 spin-coating(旋涂法)。 应用:在先进工艺(如5nm、3nm节点)中,为满足高性能要求,ULK材料广泛用于互连层间的绝缘。 3.HDPCVD 全称:High-Density ...
___优点:反应温度低: 300℃-400℃;薄膜填充高深宽比间隙能力强;淀积限制的条件:1、质量传输限制淀积速率HDPCVD工艺的基本步骤:离
1.本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种hdpcvd工艺设备的处理方法。 背景技术: 2.在超大规模集成电路制造领域,高密度等离子体化学气相沉积工艺(hdpcvd,high density plasma cvd)由于能够填充更小关键尺寸、更大深宽比(ar,aspect ratio)的沟槽,因此,被广泛应用于sti、pmd、imd等的填充。
1.一种HDPCVD工艺设备的处理方法,其特征在于,包括: 提供反应腔,所述反应腔内具有用于加载射频的陶瓷圆盘; 对所述反应腔和陶瓷圆盘进行清洗处理; 在所述清洗处理后,在所述反应腔的内壁面表面和所述陶瓷圆盘的表面形成第一介电膜; 在所述第一介电膜表面形成第二介电膜,所述第二介电膜的密度大于所述第一介电...
1. HDP CVD的工艺原理图2 PE CVD工艺爆礼中产生的夹斷和空洞http: //www. cicrnag .oom 第六图书馆http: //www. cicrnag .oom 第六图书馆ft HDPCVD X艺问世之叭 大多数芯片厂普 遍采用等离子怵增强化学气相沉积(PE C¥D)进行绝 缘介质的填充。 隔,用PE CVDT艺一步填充具有髙的深宽比(...
低漏电、高击穿电容的HDPCVD工艺研究
一种HDPCVD工艺设备的处理方法,包括:提供反应腔,所述反应腔内具有用于加载射频的陶瓷圆盘;对所述反应腔和陶瓷圆盘进行清洗处理;在所述清洗处理后,在所述反应腔的内壁面表面和所述陶瓷圆盘的表面形成第一介电膜;在所述第一介电膜表面形成第二介电膜,所述第二介电膜的密度大于所述第一介电膜的密度;在形成所述...