1所示即为在超大规模集成电路中HDPCVD工艺的典型应用。 在HDPCVD工艺问世之前,大多数芯片厂普遍采用等离子体增强化学气相沉 积(PECVD)进行绝缘介质的填充。这种工艺对于大于0.8微米的间隙具有良好的 填孔效果,然而对于小于0.8微米的间隙,用单步PECVD工艺填充具有高的深 宽比(定义为间隙的深度和宽度的比值)的间隙时会在...